KR970052876A - 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 원은 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 소자 분리 영역과 워드라인, 소오스, 드레인과 제1IPO층 및 비트라인이 형성된 반도체 기판 상부에 제2IPO층 및 BPSG막을 동일 챔버내에서 증착하는 단계; 상기 BPSG막을 플로우시키는 단계; 및 상기 BPSG막 상부에 상기 제2IPO층 및 BPSG막을 증착한 챔버에서 제3IPO층을 형성하는 단계를 포함한다.
선택도 : 제2도.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (가) 내지 (다)는 본 발명에 따른 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법을 설명하기 위한 도면.
Claims (4)
- 소자 분리 영역과 워드라인, 소오스, 드레인과 제1IPO층 및 비트라인이 형성된 반도체 기판 상부에 제2IPO층 및 BPSG막을 동일 챔버내에서 증착하는 단계; 상기 BPSG막을 플로우시키는 단계; 및 상기 BPSG막 상부에 상기 제2IPO층 및 BPSG막을 증착한 챔버에서 제3IPO층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, BPSG막을 중착하는 단계는, 3000 내지 4000Å정도의 제1BPSG막을 형성하는 단계; 상기 제1BPSG막 상부에 150 내지 250Å 두께의 저농도 도펀트가 포함된 제2BPSG막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2IPO층 및 BPSG막이 중착되는 챔버는 PECVD 챔버인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제2 및 제3IPO층은 TEOS, O3가스등을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950069546A KR970052876A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950069546A KR970052876A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052876A true KR970052876A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66639972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950069546A KR970052876A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052876A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100609563B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2006-08-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1995
- 1995-12-30 KR KR1019950069546A patent/KR970052876A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100609563B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2006-08-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
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