KR970052875A - 반도체 소자의 평탄화 방법 - Google Patents
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Abstract
본 원은 반도체 소자의 평탄화 방법을 개시한다.
개시된 본 발명은 반도체 소자를 구성하는 기본 전극이 구비된 반도체 하부층 상부에 제1금속 배선을 형성하는 단계; 제1금속 배선 상부에 제1도프트 산화막을 중착하는 단계; 제1도프트 산화막을 플로우하는 단계; 플로우된 제1도프트 산화막 상부에 제2도프트 산화막을 중착하는 단계; 제2도프트 산화막을 플로우시키는 단계; 플로우된 제2도프트 산화막 상부에 층간 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
선택도 : 제2도.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(가) 내지 (마)는 본 발명의 반도체 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 도면.
Claims (3)
- 반도체 소자를 구성하는 기본 전극이 구비된 반도체 하부층 상부에 제1금속 배선을 형성하는 단계; 상기 제1금속 배선 상부에 제1도프트 산화막을 중착하는 단계; 상기 제1도프트 산화막을 플로우하는 단계; 상기 플로우된 제1도프트 산화막 상부에 제2도프트 산화막을 중착하는 단계; 상기 제2도프트 산화막을 플로우시키는 단계; 상기 플로우된 제2도프트 산화막 상부에 층간 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 평탄화 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2도프트 산화막은 BPSG, PSG, BSG중 선택되는 하나의 막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 평탄화 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 층간 절연막의 두께는 1000 내지 3000Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 평탄화 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950069529A KR970052875A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950069529A KR970052875A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052875A true KR970052875A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66639776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950069529A KR970052875A (ko) | 1995-12-30 | 1995-12-30 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052875A (ko) |
-
1995
- 1995-12-30 KR KR1019950069529A patent/KR970052875A/ko not_active Application Discontinuation
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