KR970052505A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 하부 전극이 형성된 반도체 기판상에 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기의 층간 절연막상에 접착 보조막을 형성하는 단계; 상기의 하부 전극이 노출되도록 상기의 접착 보조막 및 층간 절연막을 사진식각법으로 선택적으로 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계; 상기의 콘택홀의 내부 및 주변부 전면에 식각장벽용 텅스텐막을 형성한 후, 에치백하여 텅스텐 플러그를 형성하는 단계; 및 상기 전체 구조 상부에 소정의 금속배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 (가) 내지 (다)는 본 발명의 일실시예에 따른 금속배선 형성방법을 설명하기 위한 도면.

Claims (5)

  1. 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, (가) 하부 전극이 형성된 반도체 기판상에 층간 절연막을 형성하는 단계; (나) 상기의 층간 절연막상에 접착 보조막을 형성하는 단계; (다) 상기의 하부 전극이 노출되도록 상기의 접착 보조막 및 층간 절연막을 사진식각법으로 선택적으로 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계; (라) 상기의 콘택홀의 내부 및 주변부 전면에 식각장벽용 텅스텐막을 형성한 후, 에치백하여 텅스텐 플러그를 형성하는 단계; 및 (마) 상기 전체 구조 상부에 소정의 금속배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기의 하부 전극은 게이트 전극, 소오스/드레인 전극, 또는 금속 배선인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기의 단계 (가)에서 층간 절연막은 BPSG막이고, 평탄화는 BPSG막의 비스코스 플로우가 일어나는 온도 이상에서 열처리하거나, 또는 화학기계적 연마법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기의 접착 보조막은 실리콘막 또는 Ti, TiN 또는 Ti와 TiN의 복합막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기의 단계 (마)에서 금속배선은 주성분이 Al, Ti/Al의 이중구조, 또는 Ti/TiN/Al의 3중 구조인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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