KR960002576A - 반도체소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 금속배선 형성방법Info
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Abstract
본 발명은 상부 표면이 실리사이드화된 활성영역 상에 금속 콘택을 이루는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법에 있어서, 상기 활성영역 상에 이후에 증착되는 절연막과 식각선택비가 큰 마스크용 막을 형성하는 단계; 상기 마스크용 막 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막의 소정부위를 식각하여 금속 콘택홀을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 확산방지용 장벽금속막을 형성하는 단계; 급속열처리공정을 실시하는 단계; 전체구조 상부에 금속막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법에 관한 것으로, 활성영역 상의 티타늄실리사이드막의 금속 콘택홀 형성을 위한 산화막 식각시 전혀 손상을 받지 않아 후속공정인 금속막 증착시 활성영역은 티타늄실리사이드막과 금속막의 접촉으로써 낮은 접촉저항을 가지므로 소자의 신뢰성을 향상시키는 효과를 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2B도는 본 발명의 일실시예에 따른 금속 배선 형성 공정 단면도.
Claims (2)
- 상부 표면이 실리사이드화된 활성영역(205) 상에 금속 콘택을 이루는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법에 있어서, 상기 활성영역(205) 상에 이후에 증착되는 절연막과 식각선택비가 큰 마스크용 막(212)을 형성하는 단계; 상기 마스크용 막(212) 상에 절연막(208)을 형성하는 단계; 상기 절연막(208)의 소정부위를 식각하여 금속 콘택홀을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 확산방지용 장벽금속막(209,210)을 형성하는 단계; 급속열처리공정을 실시하는 단계; 전체구조 상부에 금속막(211)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크용 막(212)은 폴리실리콘막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014919A KR960002576A (ko) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940014919A KR960002576A (ko) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002576A true KR960002576A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66685846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940014919A KR960002576A (ko) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002576A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980084172A (ko) * | 1997-05-21 | 1998-12-05 | 윤종용 | 고 식각선택비를 이용한 반도체장치의 건식식각방법 |
-
1994
- 1994-06-27 KR KR1019940014919A patent/KR960002576A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980084172A (ko) * | 1997-05-21 | 1998-12-05 | 윤종용 | 고 식각선택비를 이용한 반도체장치의 건식식각방법 |
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