KR960002576A - 반도체소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 금속배선 형성방법Info
- Publication number
- KR960002576A KR960002576A KR1019940014919A KR19940014919A KR960002576A KR 960002576 A KR960002576 A KR 960002576A KR 1019940014919 A KR1019940014919 A KR 1019940014919A KR 19940014919 A KR19940014919 A KR 19940014919A KR 960002576 A KR960002576 A KR 960002576A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- forming
- metal
- active region
- semiconductor device
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 상부 표면이 실리사이드화된 활성영역 상에 금속 콘택을 이루는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법에 있어서, 상기 활성영역 상에 이후에 증착되는 절연막과 식각선택비가 큰 마스크용 막을 형성하는 단계; 상기 마스크용 막 상에 절연막을 형성하는 단계; 상기 절연막의 소정부위를 식각하여 금속 콘택홀을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 확산방지용 장벽금속막을 형성하는 단계; 급속열처리공정을 실시하는 단계; 전체구조 상부에 금속막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법에 관한 것으로, 활성영역 상의 티타늄실리사이드막의 금속 콘택홀 형성을 위한 산화막 식각시 전혀 손상을 받지 않아 후속공정인 금속막 증착시 활성영역은 티타늄실리사이드막과 금속막의 접촉으로써 낮은 접촉저항을 가지므로 소자의 신뢰성을 향상시키는 효과를 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2B도는 본 발명의 일실시예에 따른 금속 배선 형성 공정 단면도.
Claims (2)
- 상부 표면이 실리사이드화된 활성영역(205) 상에 금속 콘택을 이루는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법에 있어서, 상기 활성영역(205) 상에 이후에 증착되는 절연막과 식각선택비가 큰 마스크용 막(212)을 형성하는 단계; 상기 마스크용 막(212) 상에 절연막(208)을 형성하는 단계; 상기 절연막(208)의 소정부위를 식각하여 금속 콘택홀을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 확산방지용 장벽금속막(209,210)을 형성하는 단계; 급속열처리공정을 실시하는 단계; 전체구조 상부에 금속막(211)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 마스크용 막(212)은 폴리실리콘막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940014919A KR960002576A (ko) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940014919A KR960002576A (ko) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960002576A true KR960002576A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66685846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940014919A KR960002576A (ko) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 반도체소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR960002576A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980084172A (ko) * | 1997-05-21 | 1998-12-05 | 윤종용 | 고 식각선택비를 이용한 반도체장치의 건식식각방법 |
-
1994
- 1994-06-27 KR KR1019940014919A patent/KR960002576A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19980084172A (ko) * | 1997-05-21 | 1998-12-05 | 윤종용 | 고 식각선택비를 이용한 반도체장치의 건식식각방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960039281A (ko) | 반도체 장치의 배선 구조 및 그 제조 방법 | |
KR970052544A (ko) | 반도체 소자의 폴리레지스터 구조 및 그 제조방법 | |
KR950001901A (ko) | 콘택홀 제조방법 | |
KR900019155A (ko) | 식각 베리어를 사용한 콘택 형성 방법 | |
KR940012650A (ko) | 반도체 소자의 콘택제조방법 | |
KR940016687A (ko) | 반도체 접속장치 및 그 제조방법 | |
KR950012601A (ko) | 반도체 소자의 콘택 형성 방법 | |
KR960002576A (ko) | 반도체소자의 금속배선 형성방법 | |
KR970063745A (ko) | 캐패시터를 포함하는 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법 | |
KR970052439A (ko) | 반도체 소자의 콘택 홀 형성 방법 | |
KR960039285A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
KR100289653B1 (ko) | 반도체소자의배선구조및그의형성방법 | |
KR960012324A (ko) | 반도체소자의 게이트전극 콘택 및 그 제조방법 | |
KR960002580A (ko) | 금속배선 형성 방법 | |
KR980005474A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
KR970003530A (ko) | 미세 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
KR970053546A (ko) | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 | |
KR970052412A (ko) | 반도체 장치의 금속 배선 제조 방법 | |
KR960002759A (ko) | 반도체 소자의 다중 금속배선 형성방법 | |
KR940012572A (ko) | 반도체 장치에서의 콘택트 형성방법 | |
KR970052381A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 | |
KR950025869A (ko) | 콘택홀 형성방법 | |
KR970008347A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성방법 | |
KR960035812A (ko) | 미세 접촉창의 접촉방법 | |
KR970052231A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |