KR970052381A - 반도체 소자의 금속층 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속층 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 금속층 형성 방법에 관한 것으로, 금속층간의 접속 특성을 향상시키기 위하여 플러그를 형성한 후 금속층간 절연막을 식각하여 상기 플러그의 상부를 일정 높이 돌출시키므로써 금속층간의 접속특성을 향상시키고, 후속 공정을 용이하게 실시할 수 있도록 하여 소자의 전기적 특성 및 수율이 향상될 수 있도록 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 금속층 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속층 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (5)

  1. 반도체 소자의 금속층 형성 방법에 있어서, 절연층이 형성된 실리콘 기판상에 제1금속층 및 금속층간 절연막을 순차적으로 형성한 후 상기 제1금속층의 소정 부분이 노출되도록 상기 금속층간 절연막을 패터닝하여 콘택 홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 콘택 홀내에 플러그를 형성한 후 상기 플러그 상부의 함물된 부분은 제거되고, 상기 플러그의 상부가 일정 높이 돌출되도록 상기 금속층간 절연막을 식각하는 단계와, 상기 단계로부터 전체 상부면에 제2금속층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 식각 공정은 건식으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 식각 공정시 CHF3및 CF4가스가 이용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 식각 공정시 상기 금속층간 절연막은 300 내지 500Å의 두께 만큼 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 식각 공정시 상기 금속층간 절연막과 플러그의 식각 선택비는 10:1 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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