KR960026812A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents

반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDF

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KR960026812A KR1019940035139A KR19940035139A KR960026812A KR 960026812 A KR960026812 A KR 960026812A KR 1019940035139 A KR1019940035139 A KR 1019940035139A KR 19940035139 A KR19940035139 A KR 19940035139A KR 960026812 A KR960026812 A KR 960026812A
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 하부절연층이 형성된 반도체기판 상부에 제1도전층과 감광막패턴을 순차적으로 형성하고 상기 감광막패턴 측벽에 절연막 스페이서를 형성한 다음, 이를 이용하여 콘택홀을 형성하고 상기 감광막패턴을 제거한 다음, 전체표면상부에 제2도전층을 형성하고 상기 제2도전층의 상측 일부만 돌출되도록 회생막을 형성한 다음, 노출된 만큼의 제2도전층을 식각하고, 상기 절연막 스페이서 및 회생막 제거공정과 저장전극마스크를 이용한 식각공정을 실시하여 표면적이 증가된 저장전극을 형성함으로써 후공정에서반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 확보할 수 있어 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 이에 따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시키는 기술이다.

Description

반도체소자의 캐패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.

Claims (10)

  1. 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 상기 하부절연층 상부에 제1도전층을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층 상부에 제1감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 절연막 스페이서를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 반도체기판의 예정된 부분에 접속되는 제2도전층을 일정두께 형성하는 공정과, 상기 제2도전층 상측 일부분만이 노출되도록 회생막을 형성하는 공정과, 상기 노출된 제2도전층만을 식각하는 공정과, 상기 절연막 스페이서와 회생막을 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 절연막 스페이서는 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 제1,2도전층은 다결정실리콘막으로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 콘택홀의 크기는 상기 절연막 스페이서의 두께로 조절되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 희생막은 전체표면상부에 두껍게 형성하여 최상부에 형성된 제2도전층을 도포하고 상기 제2도전층 상측 일부만이 노출되도록 전면식각을 실시하여 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
  6. 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 희생막은 절연막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 절연막은 SOG, CVD 산화막 또는 폴리이미드로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 전면식각은 상기 절연막 스페이서 및 회생막과의 식각선택비 차이를 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법
  9. 제1항에 있어서, 상기 제2감광막패턴은 저장전극마스크를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 절연막과 회생막은 상기 제1도전층 및 제2도전층과의 식각선택비 차이를 이용하여 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940035139A 1994-12-19 1994-12-19 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 KR0166030B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100297411B1 (ko) * 1997-12-24 2001-10-24 류정열 작업자보호를위한안전기능을구비한패턴접착기

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