KR960006001A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명품 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체 소자가 고집적화됨에 따라 좁은 면적에서 더욱 많은 정전용량을 요구하게 되어 많은 문제점을 발생 시켰다. 따라서, 본 발명은 반도체기판 상부에 측면으로부터 홈이 형성된 측벽을 구비하는 실린더형 저장전극을 형성함으로써 저장전극의 표면적을 증가시키고 유전체막과 플레이트전극을 형성함으로써 캐패시터의 정전용량을 증가시켜 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제7도는 본 발명에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도이다.
Claims (7)
- 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 있어서, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고 그 상부에 제1절연막을 증착한 다음, 콘택마스크를 이용하여 상기 반도체기판이 노출되도록 콘택홀을 형성하고 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판과 접속되도록 제1도전층을 증착하고 그 상부에 제1저장전극마스크를 형성하는 공정과 상기 제1저장전극마스크를 이용하여 상기 제1도전층을 식각함으로써 제1도전층패턴을 형성하고 상기 제1절연막 상부에 선택적 성장 산화막을 형성하는 공정과, 상기 제1저장전극마스크를 제거하고 전체구조상부에 제2,3절연막을 순차적으로 증착한 다음, 상기 제1도전층패턴을 식각장벽으로 하여 상기 제3,2절연막을 이방성 식각하여 상기 선택적 성장 산화막의 측벽에 제2,3절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 습식방법으로 상기 제2 절연막 스페이서의 노출된 부분으로부터 일정 깊이 식각하여 제2절연막 스페이서패턴을 형성하고 전체구조 상부에 일정 두께의 제2도전층을 증착한 다음, 그 상부에 제2저장전극 마스크를 형성하는 공정과, 상기 제2저장전극마스크를 이용하여 상기 제2도전층, 선택적 성장 산화막, 제1절연막을 식각함으로써 제2도전층패턴을 형성하는 동시에 상기 선택적 성장 산화막과 제1절연막을 노출시키는 공정과, 상기 제2저장전극마스크를 제거하고 습식방법으로 상기 노출된 선택적 성장 산화막, 제1절연막, 제2절연막 스페이서패턴 및 제3절연막 스페이서를 제거함으로써 표면적이 증가된 실린더형 저장전극을 형성하고 그 상부에 유전체막과 플레이트전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 상기 선택적 성장 산화막과 제3절연막보다 식각선택비가 높은 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 PSG로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3절연막은 TEOS로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3절연막 스페이서는 상기 제2절연막 스페이서보다 식각선택비가 낮아 상기 제2절연막 스페이서보다 높게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 선택적 성장 산화막은 상기 제1저장전극마스크를 성장장벽으로 하여 높은 단차와 더불어 수직하게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940017294A KR0144405B1 (ko) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940017294A KR0144405B1 (ko) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR960006001A true KR960006001A (ko) | 1996-02-23 |
| KR0144405B1 KR0144405B1 (ko) | 1998-07-01 |
Family
ID=66689072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940017294A KR0144405B1 (ko) | 1994-07-18 | 1994-07-18 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0144405B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100671604B1 (ko) * | 1999-08-09 | 2007-01-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
-
1994
- 1994-07-18 KR KR1019940017294A patent/KR0144405B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0144405B1 (ko) | 1998-07-01 |
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