KR970003990A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970003990A KR970003990A KR1019950018880A KR19950018880A KR970003990A KR 970003990 A KR970003990 A KR 970003990A KR 1019950018880 A KR1019950018880 A KR 1019950018880A KR 19950018880 A KR19950018880 A KR 19950018880A KR 970003990 A KR970003990 A KR 970003990A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- photoresist pattern
- insulating film
- conductive layer
- spacer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상부에 하부절연층을 형성하고 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판에 접속되는 도전층을 형성하고 상기 도전층 상부에 저장전극마스크와 캐패시터 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 제1감광막패턴과 제2감광막패턴을 각각 순차적으로 형성한 다음, 상기 제1감광막패턴과 제2감광막패턴 측벽에 제1절연막 스페이서와 제2절연막 스페이서를 각각 순차적으로 형성하고 상기 제1절연막 스페이서와 제2절연막 스페이서를 마스크로하여 상기 도전층을 일정두께 식각함으로써 홈을 형성한 다음, 상기 제1,2절연막 스페이서를 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고 후공정에서 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성하여 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 그에 따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도, 제2A도 내지 제2E도는 본 발명의 제2실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (10)
- 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 예정된 부분에 접속되는 도전층을 형성하는 공정과, 상기 도전층 상부에 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 절연막 스페이서를 마스크로하여 상기 도전층을 일정두께 식각하여 홈을 형성하는 공정과, 상기 절연막 스페이서를 제거하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막패턴은 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막 스페이서는 PECVD 방법으로 형성되는 절연막을 이방성식각하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막 스페이서는 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 예정된 부분에 접속되는 도전층을 형성하는 공정과, 상기 도전층 상부에 제1감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴 측벽에 제1절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 제거하는 공정과, 전체표면상부에 제2감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제2감광막패턴의 측벽에 제2절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 제1절연막 스페이서와 제2절연막 스페이서를 마스크로하여 상기 도전층을 일정두께 식각하여 홈을 형성하는 공정과, 상기 제1절연막 스페이서와 제2절연막 스페이서를 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제1감광막패턴은 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제1,2절연막 스페이서는 PECVD 방법으로 형성되는 절연막을 이방성식각하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제1,2절연막 스페이서는 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제2감광막패턴은 캐패시터 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 홈은 상기 도전층 전체두께의 3/5 내지 4/5 깊이로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950018880A KR970003990A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950018880A KR970003990A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970003990A true KR970003990A (ko) | 1997-01-29 |
Family
ID=66526075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950018880A KR970003990A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970003990A (ko) |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950018880A patent/KR970003990A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970003990A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026870A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR970054008A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
KR960032747A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
KR960006001A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026741A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR940001255A (ko) | 반도체 메모리장치 및 그 제조방법 | |
KR960026647A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026846A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026847A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026740A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026659A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR970054076A (ko) | 반도체장치의 커패시터 및 그의 제조방법 | |
KR960043152A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조방법 | |
KR960026791A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026835A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026793A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR970053940A (ko) | 반도체소자의 저장전극 형성방법 | |
KR950034521A (ko) | 반도체소자의 저장전극 제조방법 | |
KR970003959A (ko) | 캐패시터의 전하저장전극 형성방법 | |
KR970003981A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026849A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960043176A (ko) | 캐패시터 제조방법 | |
KR960026811A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR950024345A (ko) | 반도체 메모리장치 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |