KR970053940A - 반도체소자의 저장전극 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 저장전극 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 저장전극 형성방법에 관한 것으로, 반도체 기판의 예정된 부분에 접속되는 제1도전층을 형성하고 그 상부에 제1절연막, 제2도전층, 제2절연막 및 제3도전층을 순차적으로 각각 소정두께 형성한 다음, 상기 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 제3도전층, 제2절연막, 제2도전층 및 제1절연막을 순차적으로 식각하여 상기 제1도전층을 노출시키고 전체 표면상부에 제3절연막을 소정두께 형성한 다음, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 제3절연막, 제2절연막, 제2도전층, 제1절연막 및 제1도전층을 순차적으로 식각하여 제3절연막 패턴, 제3도전층 패턴, 제2도전층 패턴, 제2절연막 패턴, 제1절연막 패턴을 제거하여 지붕이 형성된 실린더형 저장전극을 형성함으로써 표면적을 증가시켜 후속 공정인 유전체막과 플레이트 전극 형성공정으로 반도체 소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성함으로써 반도체 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체 소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1F도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 저장 전극 형성공정을 도시한 단면도.
Claims (5)
- 반도체 기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 캐패시터 콘택마스크를 식각공정으로 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 예정된 부분에 접속되는 제1도전층을 일정두께 형성하는 공정과, 상기 제1도전층 상부에 제1절연막, 제2도전층, 제2절연막 및 제3도전층을 순차적으로 각각 소정두께 형성하는 공정과, 상기 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 제3도전층, 제2절연막, 제2도전층 및 제1절연막을 순차적으로 식각하여 상기 제1도전층을 노출시키는 공정과, 전체표면상부에 제3절연막을 소정두께 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 제3절연막, 제3도전층, 제2절연막, 제2도전층, 제1절연막 및 제1도전층을 순차적으로 식각하여 제3절연막 패턴, 제3도전층 패턴, 제2절연막 패턴, 제2도전층 패턴, 제1절연막 패턴 및 제1도전층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 제3절연막 패턴, 제3도전층 패턴, 제2절연막 패턴, 제2도전층 패턴, 제1절연막 패턴 및 제1도전층 패턴 측벽에 제4도전층 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 제3절연막 패턴, 제2절연막 패턴, 제1절연막 패턴을 제거하여 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2,3,4도전층은 다결정실리콘막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2,3절연막은 PSG로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3절연막은 BPSG로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2,3절연막 제거공정은 상기 제1,2,3,4도전층과의 식각선택비 차이를 이용한 식각공정으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 저장전극 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050472A KR970053940A (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950050472A KR970053940A (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053940A true KR970053940A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66595029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950050472A KR970053940A (ko) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053940A (ko) |
-
1995
- 1995-12-15 KR KR1019950050472A patent/KR970053940A/ko not_active Application Discontinuation
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