KR960026835A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판에 접속되는 도전층을 형성하고 그 상부에 저장전극마스크를 이용하여 감광막패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 상기 도전층을 일정두께 식각하고 상기 감광막패턴과 도전층의 식각면에 제1절연막 스페이서를 형성한 다음, 상기 제1절연막 스페이서와 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 도전층을 일정두께 식각하고 상기 감광막패턴을 제거한 다음, 상기 도전층 이상의 구조물에 제2절연막 스페이서를 형성하고,상기 제1,2절연막 스페이서를 마스크로 하고 상기 증간절연막을 식각장벽으로 하며 상기 콘택홀이 노출되지 않도록 상기 도전층을 식각한 다음, 상기 제1,2절연막 스페이서를 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고, 후공정에서 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성하여 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 이에 따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터를 도시한 단면도.
Claims (11)
- 반도체기판 상부에 층간절연막을 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용하여 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 반도체기관에 접속되도록 측벽이 경사진 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 캐패시터는 반도체기판 상부에 층간절연막을 형성하는 공정과,콘택마스크를 이용하여 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판에 접속되도록 도전층을 형성하는 공정과, 상기 도전층 상부에 감광막패턴을 형성하는 공정과 상기 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 도전층을 일정두께 식각하는 공정과 상기 감광막패턴과 도전층의 식각면에 제1절연막 스페이서를 형성하는 공정과 상기 감광막패턴과 제1절연막 스페이서를 마스크로 하여 상기 도전층을 일정두께 식각하는 공정과,상기 감광막패턴을 제거하는 공정과 상기 도전층 이상의 구조물에 제2절연막 스페이서를 형성하는 공정과 상기 제1,2절연막 스페이서를 마스크로하여 상기 도전층을 일정두께 식각하는 공정과,상기 제1,2절연막 스페이서를 제거함으로써 계단형으로 형성되어 경사진 축벽이 구비되어 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 도전층은 다결정실리콘막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제2항에 있어서,상기 감광막패턴은 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제1절연막은 저온에서 형성되는 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 감광막패턴을 이용한 식각공정은 상기 도전층 전체두께의 삼분의 일이 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 개패시터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 감광막패턴과 제1절연막 스페이서를 이용한 식각공정은 상기 도전층 전체두께의 삼분의 일이 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제 1,2절연막 스페이서를 이용한 식각공정은 상기 콘택홀이 노출되지 않도록 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제2항 또는 제8항에 있어서, 상기 제1,2절연막 스페이서를 이용한 식각공정은 상기 층간절연막이 식각장벽으로 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제1,2절연막은 상기 도전층과의 식각선택비 차이를 이용한 습식방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 측벽은 반도체소자의 셀부와 주변회로부의 경계부가 형성하는 경계면가 완만하게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940037494A KR960026835A (ko) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940037494A KR960026835A (ko) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026835A true KR960026835A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66769314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940037494A KR960026835A (ko) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026835A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100666387B1 (ko) * | 2005-05-20 | 2007-01-09 | 삼성전자주식회사 | 도전성 패턴의 제조 방법 및 반도체 소자의 제조 방법. |
-
1994
- 1994-12-27 KR KR1019940037494A patent/KR960026835A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100666387B1 (ko) * | 2005-05-20 | 2007-01-09 | 삼성전자주식회사 | 도전성 패턴의 제조 방법 및 반도체 소자의 제조 방법. |
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