KR960026855A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960026855A KR960026855A KR1019940039031A KR19940039031A KR960026855A KR 960026855 A KR960026855 A KR 960026855A KR 1019940039031 A KR1019940039031 A KR 1019940039031A KR 19940039031 A KR19940039031 A KR 19940039031A KR 960026855 A KR960026855 A KR 960026855A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive layer
- insulating
- insulating layer
- layer
- forming
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 하부절연층과 제1절연막이 형성된 반도체기판의 예정된 부분에 접속되도록 제1도전층을 형성하고 그 상부에 제2절연막과 제2도전층을 순차적으로 형성한 다음, 콘택마스크를 이용하여 상기 제2도전층, 제2절연막 및 일정두께의 제1도전층을 순차적으로 식각하여 홈을 형성하고 상기 홈의 측벽에 제3도전층 스페이서를 형성한 다음, 저장전극마스크를 이용한 식각공정과 식각선택비 차이를 이용한 절연막 제거공정을 사용하여 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고 후공정에서 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성하여 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 이에따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1D도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (10)
- 반도체기판 상부에 하부절연층 및 제1절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판에 접속되는 제1도전층을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층상부에 제2절연막과 제2도전층을 순차적으로 형성하는 공정과, 콘택마스클 이용하여 상기 제2도전층, 제2절연막 및 일정두께의 제1도전층을 순차적으로 식각하여 홈을 형성하는 공정과, 상기 홈의 측벽에 제3도전층 스페이서를 형성하는 공정과, 전체표면상부에 제3절연막과 제4절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용하여 상기제4,3절연막, 제2도전층, 제2절연막 및 제1도전층을 순차적으로 식각하는 공정과, 상기 제4,3,2절연막을 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2,3도전층은 다결정실리콘막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 실리콘질화막으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2,3,4절연막은 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 홈 형성시 제1도전층은 상기 제1절연막 상부까지 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 제3절연막은 TEOS로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 제4절연막은 유동성을 갖는 절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제4절연막은 BPSG로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 저장전극마스크를 이용한 식각공정은 상기 제1절연막을 식각장벽으로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제4,3,2절연막 제거공정은 상기 제1절연막을 식각장벽으로하여 상기 제1,2,3도전층과의 식각선택비 차이를 이용한 습식방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940039031A KR960026855A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940039031A KR960026855A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960026855A true KR960026855A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647711
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940039031A KR960026855A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR960026855A (ko) |
-
1994
- 1994-12-29 KR KR1019940039031A patent/KR960026855A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960006030A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR970024206A (ko) | 반도체 기억소자의 캐패시터 제조방법. | |
KR970054033A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026855A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR970063746A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR970003981A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026870A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026800A (ko) | 반도체소자의 저장전극 제조방법 | |
KR960032747A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
KR960026815A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026835A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026864A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR970003991A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026812A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026793A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960043192A (ko) | 반도체 캐패시터 및 그 제조 방법 | |
KR950021127A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 | |
KR970018496A (ko) | 반도체 소자의 저장전극 형성방법 | |
KR960026615A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026865A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026856A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR970052201A (ko) | 반도체 소자의 저장전극 형성방법 | |
KR960026818A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026659A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
KR960026797A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |