KR970003991A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고 캐패시터 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성한 다음, 상기 콘택홀을 통하여 제1도전층 상부에 제2도전층, 제3도전층 및 제4도전층을 순차적으로 형성한 다음, 저장전극마스크를 이용하여 상기 제4,3,2,1도전층을 순차적으로 식각하고 상기 제1,3도전층을 일정폭 식각함으로써 표면적이 증가된 핀평 저장전극을 형성한 다음, 상기 핀형 저장전극의 표면에 유전체막과 플레이트 전극을 순차적으로 형성함으로써 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성하여 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 그에 따른 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 실시예 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도
Claims (5)
- 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과,콘택마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성하고 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판의 예정된 접속되는 제1도전층을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층 상부에 제2도전층, 제3도전층 및 제4도전층을 순차적으로 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 제4도전층, 제3도전층, 제2도전층 및 제1도전층을 순차적으로 식각하는 공정과 상기 제1도전층과 제3도전층을 일정폭 식각하여 핀형 저장전극을 형성하는 공정과, 상기 저장전극의 표면에 유전체막과 플레이트전극을 순차적으로 형성함으로써 캐패시터를 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,3도전층은 다결정실리콘막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법
- 제1항에 있어서, 상기 제2,4도전층은 실리사이드로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법
- 제1항에 있어서,상기 일정폭 식각공정은 상기 제2,4도전층과의 식각선택비 차이를 이용한 습식방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법
- 제1항에 있어서,상기 일정폭은 상기 제1,3도전층 전체폭의 1/3내지 2/3인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950018881A KR970003991A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950018881A KR970003991A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970003991A true KR970003991A (ko) | 1997-01-29 |
Family
ID=66526584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950018881A KR970003991A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970003991A (ko) |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950018881A patent/KR970003991A/ko not_active Application Discontinuation
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