KR970018496A - 반도체 소자의 저장전극 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 저장전극 형성방법 Download PDF

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KR970018496A KR1019950030008A KR19950030008A KR970018496A KR 970018496 A KR970018496 A KR 970018496A KR 1019950030008 A KR1019950030008 A KR 1019950030008A KR 19950030008 A KR19950030008 A KR 19950030008A KR 970018496 A KR970018496 A KR 970018496A
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 저장전극 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고 그 상부에 제1절연막과 제1도전층을 형성하고 저장전극 콘택마스크보다 크고 저장전극마스크보다 작은 노광마스크를 이용하여 상기 제1도전층을 식각한 다음, 상기 제1도전층 식각부분에 제2절연막을 매립하고 전체표면상부에 제3, 4절연막을 순차적으로 형성한 다음, 저장전극 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체 기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하고 상기 제3절연막을 습식방법으로 측면식각하여 상기 제1도전층을 노출시키는 홈을 형성한 다음, 전체표면상부에 제2도전층을 형성하고 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 하부절연층이 노출될 때까지 식각한 다음, 상기 제1, 2, 3, 4절연막을 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고 후 공정으로 고집적된 반도체소자의 정전용량을 충족시키는 캐패시터를 형성함으로써 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체 소자의 저장전극 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 저장전극 형성방법을 설명하기 위한 단면도.

Claims (8)

  1. 하부절연층이 형성된 반도체기판 상부에 상기 하부절연층보다 식각선택비가 우수한 제1절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1절연막 상부에 제1도전층을 형성하는 공정과, 노광마스크를 이용한 식각공정으로 상기 제1절연막을 식각장벽으로 하여 상기 제1도전층을 식각하는 공정과, 상기 제1도전층 식각부분을 제2절연막으로 매립하는 공정과, 상기 전체표면상부에 다른 절연막보다 식각선택비가 우수한 제3절연막을 형성하는 공정과, 상기 제3절연막 상부에 제4절연막을 형성하는 공정과, 저장전극 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 식간선택비 차이를 이용한 습식방법으로 제3절연막을 측면식각하여 상기 제1도전층을 노출시키는 홈을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 제2도전층을 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 하고 상기 하부절연층을 식각장벽으로하여 상기 하부절연층이 노출될때까지 식각하는 공정과, 상기 제1, 2, 3, 4절연막을 제거하는 공정을 포함하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 노광마스크는 저장전극 콘택마스크의 폭보다 크고 저장전극마스크의 폭보다 적게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 하부절연층은 BPSG로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1, 2, 4절연막은 상기 하부절연층보다 식각선택비가 우수한 TEOS로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 제3절연막은 상기 하부절연층, 제1, 2, 4절연막 및 제1도전층 보다 식각선택비가 우수한 절연막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제3절연막은 PSG 계열의 절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제3절연막은 BSG로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제1, 2, 3, 4절연막 제거공정은 BOE 용액을 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
KR1019950030008A 1995-09-14 1995-09-14 반도체 소자의 저장전극 형성방법 KR0159020B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102075064B1 (ko) * 2018-11-13 2020-02-07 (주)애니캐스팅 돌출전극부가 배열된 다중배열전극 및 이를 제조하는 방법

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