KR960026864A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960026864A KR960026864A KR1019940039237A KR19940039237A KR960026864A KR 960026864 A KR960026864 A KR 960026864A KR 1019940039237 A KR1019940039237 A KR 1019940039237A KR 19940039237 A KR19940039237 A KR 19940039237A KR 960026864 A KR960026864 A KR 960026864A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive layer
- forming
- insulating
- layer
- insulating layer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 하부절연층과 제1절연막을 형성하고 저장전극마스크를 이용하여 감광막패턴을 형성한 다음, 이를 이용하여 상기 제1도전층을 식각하고 상기 제1절연막을 선택성장시켜 선택적 성장 절연막을 형성한 다음, 전체표면상부에 일정두께의 제2도전층, 제2절연막 스페이서, 일정두께의 제3도전층 및 제3절연막 스페이서를 순차적으로 형성하고 상기 제3,2 도전층을 이방성식각한 다음, 상기 제3,2,1 절연막과 선택적 성장 절연막을 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고 후공정에서 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성하여 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 이에다른 반도체소자의 신뢰성을 향상시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1F도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (10)
- 반도체기판 상부에 하부절연층 및 제1절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판에 접속되는 제1도전층을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층 상부에 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 제1도전층을 식각하는 공정과,상기 제1절연막을 선택성장시켜 선택적 성장 절연막을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 제2도전층을 일정두께 형성하는 공정과, 상기 제2도전층 측벽에 제2절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 전체표면상부에 제3도전층을 일정두께 형성하는 공정과, 상기 제3도전층 측벽에 제3절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 제2,1도전층의 이방성식각하는 공정과, 상기 제3,2,1 절연막과 선택적 성장 절연막을 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막패턴은 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 선택성장공정은 상기 감광막패턴을 성장장벽웨로하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2,3 도전층은 단차피복성이 우수한 도전체로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2,3, 절연막은 상기 도전층과의 많은 식각선택비 차이를 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 제2,3 절연막은 실리콘이 함유된 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하여 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막 스페이서 형성공정은 상기 제2도전층을 식각장벽으로 하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3절연막 스페이서 형성공정은 상기 제3도전층을 식각장벽으로 하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 이방성식각공정은 상기 선택적 성장 절연막과 제1도전층을 식각장벽으로 하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3,2,1 절연막과 선택적 성장 절연막 제거공정은 상기 제1,2,3 도전층과의 식각선택비 차이를 이용한 습식방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039237A KR960026864A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039237A KR960026864A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026864A true KR960026864A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039237A KR960026864A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026864A (ko) |
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039237A patent/KR960026864A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970024206A (ko) | 반도체 기억소자의 캐패시터 제조방법. | |
| KR960026864A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026856A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026870A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970054008A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR970003466A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
| KR960026791A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960032747A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
| KR960026741A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026793A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026790A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026812A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026855A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026647A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970018496A (ko) | 반도체 소자의 저장전극 형성방법 | |
| KR960006001A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026813A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026854A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026853A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026850A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970052320A (ko) | 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법 | |
| KR970054117A (ko) | 반도체 소자의 저장전극 형성방법 | |
| KR970003981A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026861A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970003991A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |