KR960026850A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 하부절연층과 제1절연막을 형성하고 콘택마스크보다 크고 저장전극마스크보다 작은 감광막패턴을 형성한 다음, 이를 성장장벽으로하여 선택적 성장 도전층을 형성하고 상기 감광막패턴을 제거한 다음, 상기 선택적 성장 도전층 측벽에 제2절연막 스페이스를 형성하고 이를 선택성장시켜 선택적 성장 절연막을 형성한 다음, 이를 마스크로하여 상기 선택적 성장 도전층과 제1도전층을 식각하고 상부구조물의 측벽에 제3절연막 스페이서를 형성한 다음, 저장전극 마스크를 이용하여 상기 제1절연막을 노출시키고 상기 절연막들을 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성한 다음, 후공정에서 후공정에서 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성하여 반도체소자의 고집적화를 기능하게 하고 이에따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (6)
- 반도체기판 상부에 하부절연층 및 제1절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판에 접속되는 제1도전층을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층상부에 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층을 선택성장시켜 선택적 성장 도전층을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 제1도전층 측벽에 제2절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 제2절연막 스페이서를 선택성장시켜 선택적 성장 절연막을 형성하는 공정과, 상기 선택적 성장 절연막을 마스크로 하여 상기 선택적 성장 도전층을 식각하는 공정과, 상기 제1도전층과 선택적 성장 절연막 그리고 선택적 성장 도전층 측벽에 제3절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 전체표면상부에 제2도전층을 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용하여 상기 제2도전층을 식각하는 공정과, 상기 제3,2,1절연막과 선택적 성장 절연막을 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2도전층은 단차피복비가 우수한 도전체로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막패턴은 상기 콘택마스크보다 크고 상기 저장전극마스크보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 선택적 성장 도전층 형성공정은 상기 감광막패턴을 성장장벽으로 하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 선택적 성장 도전층 식각공정시 상기 제1도전층이 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3,2,1절연막과 선택적 성장 절연막은 상기 제1,2도전층 및 선택적 성장 도전층과의 식각선택비 차이를 이용한 습식방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039026A KR960026850A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039026A KR960026850A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026850A true KR960026850A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039026A KR960026850A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026850A (ko) |
-
1994
- 1994-12-29 KR KR1019940039026A patent/KR960026850A/ko not_active Application Discontinuation
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