KR960026819A - 반도체소자의 저장전극 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 저장전극 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 저장전극 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 형성된 하부절연층 상부에 제1절연막을 형성하고 콘택마스크를 이용하여 상기 반도체기판의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 상기 콘택홀을 매립하는 제1감광막패턴을 형성하고 상기 제1감광막패턴의 측벽에 제2절연막 스페이서를 형성한 다음, 상기 제1감광막패턴을 제거하고 상기 반도체기판에 접속되도록 전체표면 상부에 도전층을 형성하고 저장전극마스크를 이용한 식각공정과 상기 제1,2절연막 제거공정으로 표면적이 증가된 저장전극을 형성함으로써 후공정에서 캐패시터의 정전용량을 충분히 확보할 수 있어 반도체소자의 신뢰성향상 및 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1C도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 저장전극 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (7)
- 반도체기판 상부에서 하부절연층과 제1절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체기판을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 매립하는 제1감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴 측벽에 제2절연막 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 반도체기판에 접속되는 도전층을 전체표면 상부에 형성하는 공정과, 전체표면 상부에 제2감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제2감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 도전층을 식각하는 공정과, 상기 제2감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 제2절연막 스페이서와 제1절연막을 제거하는 공정을 포함하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제1감광막패턴은 저장전극마스크보다 작게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막과 제2절연막은 TEOS로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막과 제2절연막은 PSG로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층은 다결정실리콘막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2감광막패턴은 저장전극마스크를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막과 제2절연막 스페이서는 상기 도전층과의 식각선택비 차이를 이용하여 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035146A KR960026819A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 반도체소자의 저장전극 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940035146A KR960026819A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 반도체소자의 저장전극 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026819A true KR960026819A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66688363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940035146A KR960026819A (ko) | 1994-12-19 | 1994-12-19 | 반도체소자의 저장전극 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026819A (ko) |
-
1994
- 1994-12-19 KR KR1019940035146A patent/KR960026819A/ko not_active Application Discontinuation
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