KR980005476A - 반도체 소자의 저장전극 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체소자의 저장전극 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 하부구조물을 형성하고 그 상부에 제1내부절연막, 평탄화층 및 제2내부절연막을 형성한 다음, 상기 반도체기판을 노출시키는 콘택홀을 형성하고 상기 콘택홀 측벽에 절연막 스페이서를 형성한 다음, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판에 접속하는 실린더형 저장전극을 형성하는 반도체소자의 저장 전극 형성방법에 있어서, 상기 제2내부절연막 상부에 제2내부절연막 및 절연막 스페이서와 식각선택비 차이를 갖는 제3내부절연막을 소정두께 형성하고 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체기판을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 상기 콘택홀 측벽에 상기 제2내부절연막과 식각선택비가 같은 물질로 절연막 스페이서를 형성하되, 식각선택비 차이로 상기 제3내부절연막이 소정두께 식각하여 상기 절연막 스페이서로 첨부를 형성하는 상기 제3내부절연막을 습식바업으로 제거하여 상기첨부를 크게 한 다음, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판에 접속되되, 내부에 첨부가 형성되어 표면적이 증가된 실린더형 저장전극을 형성함으로써 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성할 수 있어 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 그에 따른 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.

Description

반도체 소자의 저장전극 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2a도 내지 제2c도는 본 발명의 실시에에 따른 반도체소자의 저장전극 형성방법을 도시한 단면도.

Claims (5)

1. 반도체기판 상부에 하부구조물을 형성하고 그 상부에 제1내부절연막, 평탄화층 및 제2내부절연막을 형성한 다음, 상기 반도체기판을 노출시키는 콘택홀을 형성하고 상기 콘택홀 측벽에 절연막 스페이서를 형성한 다음, 상기 콘택홀에 접속되는 실린더형 저장전극을 형성하는 반도체소자의 저장전극 형성방법에 있어서, 상기 제2내부절연막 상부에 상기 제2내부절연막 및 절연막 스페이서와 식각선택비 차이를 갖는 제3내부절연막을 소정두께 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체기판을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀 측벽에 상기 제2내부절연막과 식각선택비가 같은 물질로 절연막 스페이서를 형성하되, 식각선택비 차이로 상기 제3내부절연막이 소정두께 식각하여 상기 절연막 스페이서로 첨부를 형성하는 공정과, 상기 제3내부절연막을 습식방법으로 제거하여 상기 첨부인 절연막 스페이서를 크게 노출시키는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판에 접속되되, 내부에 첨부가 형성되어 표면적이 증가된 실린더형 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1,2내부절연막과 절연막 스페이서는 T-TEOS 막으로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 평탄화층은 BPSG막으로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
4. 제1항에 있어서, 사이 제3내부절연막은 PSG 막으로 형성하는 것을 특징으로하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 습시방법은 HF용액을 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.