KR960026856A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 하부절연층, 제1,2 절연막을 순차적으로 형성하고 콘택홀을 형성한 다음, 제1도전층을 형성하고 그 상부에 제3절연막을 형성한 다음, 상기 콘택마스크보다 크게 형성된 마스크를 이용하여 상기 제3절연막을 식각하고 상기 제3절연막 측벽에 제2도전층 스페이서를 형성한 다음, 전체표면상부에 제2차 제3절연막을 두껍게 형성하고 상기 전면 에치백공정으로 상기 제2도전층 스페이서를 노출시키는 평탄화된 제3절연막을 마스크로하여 상기 제2절연막을 습식식각한 다음, 전체표면상부에 제3도전층을 형성하고 저장전극마스크를 이용하여 상기 제3도전층, 제3절연막 및 제1도전층 순차적으로 형성한 다음, 상기 제3,2,1 절연막을 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고 후공정에서 반도체소자의 고집적화에 충분히 정전용량을 갖는 캐패시터를 형성하여 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 이에따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1F도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (9)
- 반도체기판 상부에 하부절연층, 제1절연막 및 제2절연막을 순차적으로 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판에 접속되는 제1도전층을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층 상부에 제3절연막을 형성하는 공정과, 상기 제3절연막 상부에 제1감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 마스크로하여 상기 제3절연막을 식각하는 공정과, 상기 제1감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 제3절연막의 측벽에 제2도전층 스페이서를 형성하는 공정과, 전체표면상부에 제2차 제3절연막을 두껍게 형성하는 공정과, 전면 에치백공정으로 상기 제2도전층 스페이서가 노출되도록 평탄화된 제3절연막을 형성하는 공정과, 상기 제3절연막을 마스크로하여 상기 제2도전층 스페이서와 제1도전층을 이방성식각하는 공정과, 상기 제3절연막을 마스크로하여 상기 제2절연막을 습식식각하는 공정과, 전체표면상부에 제3도전층을 형성하는 공정과, 상기 제3도전층 상부에 제2감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 제2감광막패턴을 마스크로하여 상기 제3도전층, 제3절연막 및 제1도전층을 순차적으로 식각하는 공정과, 상기 제3,2,1 절연막을 제거함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2,3 도전층은 다결정실리콘막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1감광막패턴은 콘택마스크를 크게 형성한 것을 이용한 식각공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3절연막 식각공정은 상기 제1도전층을 식각장벽으로 하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막 식각공정은 상기 제2절연막이 일정폭 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2감광막패턴을 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2감광막패턴을 이용한 식각공정은 상기 제2절연막을 식각장벽으로 하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3,2,1 절연막은 상기 제1,3 도전층과의 식각선택비 차이를 이용한 습식방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 상기 제3절연막보다 식각선택비가 우수한 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039032A KR960026856A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039032A KR960026856A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026856A true KR960026856A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039032A KR960026856A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026856A (ko) |
-
1994
- 1994-12-29 KR KR1019940039032A patent/KR960026856A/ko not_active Application Discontinuation
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