KR970024206A - 반도체 기억소자의 캐패시터 제조방법. - Google Patents

반도체 기억소자의 캐패시터 제조방법. Download PDF

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Abstract

본 발명에 의한 반도체 장치의 캐패시터 제조방법은 워드라인과 비트라인을 형성시킨 반도체기판상에 층간절연막을 형성시키고, 캐패시터 형성부위의 층간절연막을 일부 식각하여 캐패시터노드홀을 형성시킨 후에, 층간절연막과 캐패시터노드홀 위에 제1절연물질막을 형성시키는 단계와, 캐패시터노드홀의 저면에서 캐패시터콘택부 위에 콘택홀을 형성시키는 단계와, 콘택홀과 캐패시터노드홀을 매립시키면서, 제1절연물질막 위에 도전물질층을 형성시키고, 도전물질층 위에 제1절연물질막과 식각선택성이 다른 제2절연물질막을 형성시키는 단계와, 제2절연물질막을 이방성 건식각으로 제거하여 제1도전물질층을 노출시키면서, 캐패시터노드홀에서는 도전물질층으로 둘러싸인 기둥절연막을 형성시키는 단계와, 캐패시터 형성부위 외의 도전물질층을 제거하여 제1절연물질막을 노출시키는 단계와, 캐패시터노드홀의 기둥절연막을 제거하는 단계와, 제1절연물질막을 제거하여, 제1캐패시터전극을 형성시키고, 제1캐패시터전극 표면에 유전층을 형성시키고, 유전층 위에 제2캐패시터전극을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진다.

Description

반도체 기억소자의 캐패시터 제조방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체 기억소자의 캐패시터 제조방법의 단계를 도시한 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 기억소자의 캐패시터 제조방법에 있어서, 1) 워드라인과 비트라인을 형성시킨 반도체기판상에 층간절연막을 형성시키고, 캐패시터 형성부위의 상기 층간절연막을 일부 식각하여 캐패시터노드홀을 형성시킨 후에, 상기 층간절연막과 상기 캐패시터노드홀 위에 제1절연물질막을 형성시키는 단계와, 2) 상기 캐패시터노드홀의 저면에서 캐패시터콘택부위에 콘택홀을 형성시키는 단계와, 3) 상기 콘택홀과 상기 캐패시터노드홀을 매립시키면서, 상기 제1절연 물질막 위에 도전물질층을 형성시키고, 상기 도전물질층 위에 상기 제1절연물질막과 식각선택성이 다른 제2절연물질막을 형성시키는 단계와, 4) 상기 제2절연물질막을 이방성 건식각으로 제거하여 상기 도전물질층을 노출시키면서, 상기 캐패시터노드홀에서는 상기 도전물질층으로 둘러싸인 기둥절연막을 형성시키는 단계와, 5) 상기 캐패시터 형성부위 외의 상기 도전물질층을 제거하여 상기 제1절연물질막을 노출시키는 단계와, 6)상기 캐패시터노드홀의 상기 기둥절연막을 제거하는 단계와, 7)상기 제1절연물질막을 제거하여, 제1캐패시터전극을 형성시키고, 상기 제1캐패시터전극 표면에 유전층을 형성시키고, 상기 유전층 위에 제2캐패시터전극을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 기억소자의 캐패시터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 2)단계에서, 상기 콘택홀을 형성시킴에 있어서 표면에 상기 제1절연물질막이 형성된 상기 캐패시터노드홀의 측벽에 측벽스페이서를 형성시키고, 상기 측벽스페이서를 마스크로 하여 상기 측벽스페이서 사이의 상기 캐패시터노드홀 저면을 식각하여 콘택홀을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자의 캐패시터 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1절연물질막으로 질화막을 형성시키고, 상기 제2절연물질막으로 산화막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 기억소자의 캐패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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