KR970024135A - 반도체 장치의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체 장치의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970024135A KR970024135A KR1019950033672A KR19950033672A KR970024135A KR 970024135 A KR970024135 A KR 970024135A KR 1019950033672 A KR1019950033672 A KR 1019950033672A KR 19950033672 A KR19950033672 A KR 19950033672A KR 970024135 A KR970024135 A KR 970024135A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive material
- insulating film
- film
- material layer
- forming
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
본 발명에 의한 반도체 장치의 캐패시터 제조방법은 층간절연막과 평탄화막을 형성시킨 반도체 기판상에서, 평탄화막 위에 제1절연막과, 제1도전물질층과, 제2절연막과, 제2도전물질층을 순차적으로 적층하여 형성시키는 단계와, 제1절연막과, 제1도전물질층과, 제2절연막과, 제2도전물질층을 사진식각하여 평탄화막을 노출시키는 노드콘택홀상부을 형성시키는 단계와, 노드콘택홀상부의 측벽에 측벽도전물질막을 형성시키는 단계와, 측벽도전물질막 사이의 평탄화막과, 층간절연막을 식각하여 노드콘택홀하부을 형성시키는 단계와, 노드콘택홀하부를 매립시키면서, 제2도전물질층과, 측벽도전물질막 위에 제3도전물질층을 형성시키고, 제3도전물질층 위에 제3절연막을 형성시키는 단계와, 제3절연막을 사진식각하여 스토리지 전극형성부위의 제3절연막을 잔재시키는 단계와, 제3절연막을 마스크로 하여 스토리지전극 형성부위 외의 제1절연막과, 제1도전물질층과, 제2절연막과, 제2도전물질층을 식각하는 단계와, 스토리지전극 형성부위의 제1절연막과, 제2절연막과, 제3절연막을 제거하여 스토리지전극을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 반도체 장치의 캐패시터 제조방법의 단계를 도시한 단면도.
제2도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 캐패시터 제조방법의 단계를 도시한 단면도.
Claims (2)
- 반도체 장치의 캐패시터 제조방법에 있어서, 1) 층간절연막과 평탄화막을 형성시킨 반도체기판상에서, 상기 평탄화막 위에 제1절연막과, 제1도전물질층과, 제2절연막과, 제2도전물질층을 순차적으로 적층하여 형성시키는 단계와, 2) 상기 제1절연막과, 상기 제1도전물질층과, 상기 제2절연막과, 상기 제2도전물질층을 사진식각하여 상기 평탄화막을 노출시키는 노드콘택홀상부을 형성시키는 단계와, 3) 상기 노드콘택홀상부의 측벽에 측벽도전물질막을 형성시키는 단계와, 4) 상기 측벽도전물질막 사이의 평탄화막과, 상기 층간절연막을 식각하여 상기 노드콘택홀하부을 형성시키는 단계와, 5) 상기 노드콘택홀하부를 매립시키면서, 상기 제2도전물질층과, 상기 측벽도전물질막 위에 제3도전물질층을 형성시키고, 상기 제3도전물질층 위에 제3절연막을 형성시키는 단계와, 6) 상기 제3절연막을 사진식각하여 스토리지 전극형성부위의 제3절연막만을 잔재시키는 단계와, 7) 상기 제3절연막을 마스크로 하여 상기 스토리지전극 형성부위 외의 상기 제1절연막과, 상기 제1도전물질층과, 상기 제2절연막과, 상기 제2도전물질층을 식각하는 단계와, 8) 상기 스토리지전극 형성부위의 제1절연막과, 제2절연막과, 제3절연막을 제거하여 스토리지전극을 형성시키는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1)단계에서, 상기 제2도전물질층의 두께는 상기 제1도전물질층 두께의 0.5배 정도로 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950033672A KR970024135A (ko) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | 반도체 장치의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950033672A KR970024135A (ko) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | 반도체 장치의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970024135A true KR970024135A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66583421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950033672A KR970024135A (ko) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | 반도체 장치의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970024135A (ko) |
-
1995
- 1995-10-02 KR KR1019950033672A patent/KR970024135A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940012650A (ko) | 반도체 소자의 콘택제조방법 | |
| KR970024206A (ko) | 반도체 기억소자의 캐패시터 제조방법. | |
| KR970024135A (ko) | 반도체 장치의 캐패시터 제조방법 | |
| KR950004524A (ko) | 캐패시터의 전하저장전극 형성방법 | |
| KR970052485A (ko) | 커패시터의 스토리지 전극 제조 방법 | |
| KR970054008A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR980006308A (ko) | 커패시터의 구조 및 제조방법 | |
| KR970030807A (ko) | 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR960043152A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조방법 | |
| KR970054245A (ko) | 반도체소자의 저장전극 형성방법 | |
| KR960026741A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960002842A (ko) | 반도체소자의 전하보존전극 제조방법 | |
| KR970013348A (ko) | 반도체장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR950024345A (ko) | 반도체 메모리장치 제조방법 | |
| KR970052391A (ko) | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 | |
| KR960019732A (ko) | 반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법 | |
| KR930015004A (ko) | Dram셀의 전하저장전극 형성방법 | |
| KR970030485A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR970024133A (ko) | 반도체 소자의 저장전극 형성방법 | |
| KR960036058A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960006001A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960043176A (ko) | 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026835A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960026811A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR950019956A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |