KR970054245A - 반도체소자의 저장전극 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 저장전극 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 저장전극 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고, 상기 하부절연층 상부에 제1도전층을 형성한 다음, 상기 제1도전층 상부에 회생절연막을 소정두께 형성하고 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체기판의 소오스/드레인접합을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 상기 콘택홀을 매립하는 제2도전층을 형성하고 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 회생절연막을 식각한 다음, 상기 회생절연막의 식각면에 제3도전층 스페이서를 형성하되, 과도식각공정으로 상기 제1도전층이 식각되고 상기 회생절연막이 제거되는 공정으로 중앙부에 기둥이 형성된 실린더형 저장전극을 형성함으로써 반도체 소자의 고집적화에 충분한 정전요량을 갖는 캐패시터를 형성하여 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 저장전극 형성공정을 도시한 단면도.
Claims (4)
- 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하는 공정과, 상기 하부절연층 상부에 제1도전층을 형성하는 공정과, 상기 제1도전층 상부에 회생절연막을 소정두께 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 반도체기판의 소오스/드레인 접합을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 매립하는 제2도전층을 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 회생절연막을 식각하는 공정과, 상기 회생절연막의 식각면에 제3도전층 스페이서를 형성하되, 과도식각공정으로 상기 제1도전층이 식각되는 공정과, 상기 회생절연막을 제거하는 공정으로 중앙부에 기둥이 형성된 실린더형 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 회생절연막은 산화막이나 질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 회생절연막은 상기 도전층과의 식각선택비 차이를 이용한 식각공정으로 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 저장전극이 표면에 반구형 도전층이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066168A KR970054245A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950066168A KR970054245A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054245A true KR970054245A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66637183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950066168A KR970054245A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체소자의 저장전극 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054245A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950066168A patent/KR970054245A/ko not_active Application Discontinuation
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