KR960026860A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판의 예정된 부분에 제1도전층을 콘택하고 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 제1도전층을 식각한 다음, 상기 제1도전층 측벽에 제2도전층 스페이서를 형성함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고 후공정에서 유전체막과 플레이트전극을 순차적으로 형성함으로써 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 확보할 수 있는 캐패시터를 형성할 수 있어 반도체소자의 신뢰성을 향상 및 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2C도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (3)
- 반도체 기판의 예정된 부분에 콘택된 제1도전층과, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 상기 제1도전층을 식각하는 공정과, 상기 식각된 제1도전층 측벽에 제2도전층 스페이서를 형성함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 예정된 부분은 불순물 확산영역인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제1,2, 도전층은 다결정실리콘막으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039069A KR960026860A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039069A KR960026860A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026860A true KR960026860A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647723
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039069A KR960026860A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026860A (ko) |
-
1994
- 1994-12-29 KR KR1019940039069A patent/KR960026860A/ko not_active Application Discontinuation
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