KR930003364A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조방법 Download PDF

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KR930003364A
KR930003364A KR1019910012535A KR910012535A KR930003364A KR 930003364 A KR930003364 A KR 930003364A KR 1019910012535 A KR1019910012535 A KR 1019910012535A KR 910012535 A KR910012535 A KR 910012535A KR 930003364 A KR930003364 A KR 930003364A
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    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3(A)∼(D)도는 이 발명에 따른 반도체 장치의 제조 공정도.

Claims (4)

  1. 제1도전형의 반도제기판의 소정부분에 필드산화막층을 형성하여 상기 반도체기판과 필드산화막의 소정부분상에 게이트산화막, 게이트전극 및 제1산화막을 형성하고 공정과, 상기 제1산화막을 마스크로 하여 제2도전형의 제1및 제2영역을 형성하여 이루어가는 일반 메고리 제조과정에 있어서, 그 후속공정으로서 캐패시터의 스토리지 전극을 형성하기 위하여 제2산화막, 질화막 및 제3산화막을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 제1영역을 2단계 식각하여 노출시키는 공정과, 상기 게이트전극들과 소정부분 겹치게 스토리지전극을 형성하는 공정과, 상기 제3산하막의 남아있는 부분을 제거하는 공정으로 이루어지는 정전용량 증가의 반도체장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 2단계식각은 상기 제3산화막을 등방성식각하는 제2단계와, 상기 질화막 및 제2산화막을 이방성 식각하는 제2단계로 이루어지는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 2단계식각은 상기 제3산화막의 소정두께를 이방성 식각한 후 나머지두께를 등방성식각하는 제1단계와, 상기 질화막 및 제2산화막을 이방성식각하는 제2단계로 이루어지는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제2항에 또는 제3항에 있어서, 상기 질화막이 1단계식각시 수직방향으로 식각되는 것을 방지하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910012535A 1991-07-20 1991-07-20 반도체 장치의 제조방법 KR940005730B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100868926B1 (ko) * 2002-07-15 2008-11-17 매그나칩 반도체 유한회사 반도체소자의 제조방법

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