KR930001424A - 반도체 dram 소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래기술의 캐패시터 제조 공정 단면도.
제2도는 본 발명의 캐패시터 제조 공정 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 실리콘 기판 2, 4, 6 : 산화막(SiO2)
3 : 질화막(Si3N4) 5 : 제1스토리지 노드
7 : 제2스토리지 노드 8 : 유전체 막
9 : 캐패시터 플레이트
Claims (1)
- 스택캐패시터 제조방법에 있어서, 캐패시터가 형성될 부분위에 질화막(3)을 형성한 후 두꺼운 산화막(4)을 형성하는 단계와, 스토리지 노드 콘택 마스크에 의해 콘택홀을 형성하고, 제1스토리지 노드용(5) 폴리실리콘을 데포지션하는 단계와, 스토리지 노드 콘택 마스크에 대하여 리버스된 마스클를 이용해서 제1스토리지 노드용 폴리실리콘(5)의 일부분을 에치하는 단계와, 상기 제1스토리지 노드(5) 위에 산화막(6)을 형성하는 단계와, 스토리지 노드 마스크를 이용해서 상기 산화막(6)과 제1스토리지 노드(5) 및 바닥 산화막(7)용 폴리실리콘을 데포지션하는 단계와, 제2스토리지 노드 (7)용 폴리 실리콘을 사이드 월 에치하여 제2스토리지 노드(7)를 형성하는 단계와, 상기 질화막 위의 상기 산화막들(6)(4)을 식각하고, 유전체 막(8) 및 캐패시터 플레이트(9)를 데포지션하는 단계가 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 DRAM 소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|
| KR1019910009330A KR930011123B1 (ko) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 반도체 dram 소자의 캐패시터 제조방법 |
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| KR1019910009330A KR930011123B1 (ko) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 반도체 dram 소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR930001424A true KR930001424A (ko) | 1993-01-16 |
| KR930011123B1 KR930011123B1 (ko) | 1993-11-24 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100327139B1 (ko) * | 1996-06-07 | 2002-08-21 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 트랜지스터를가지는메모리셀을포함하는반도체디바이스의제조방법 |
-
1991
- 1991-06-05 KR KR1019910009330A patent/KR930011123B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
| KR100327139B1 (ko) * | 1996-06-07 | 2002-08-21 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 트랜지스터를가지는메모리셀을포함하는반도체디바이스의제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930011123B1 (ko) | 1993-11-24 |
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