KR920020601A - 반도체장치의 커패시터 제조 방법 - Google Patents
반도체장치의 커패시터 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정 단면도.
Claims (1)
- 기판(1)에 필드 산화막(2)을 성장시키고 게이트(3), 비트라인(4)을 형성한 후 질화막(5)을 덮고 패터닝하여 노드콘택을 형성하는 공정과, 전 표면에 제1노드 폴리실리콘(6)을 형성하고 그 위에 CVD산화막(7)을 형성하여 패터닝한 후 제2노드 폴리실리콘(8)을 형성하는 공정과, P/R을 사용하여 에치-백함으로 노드를 격리시키는 공정과, 상기 제2노도 폴리실리콘(8)의 중심부를 식각하고 CVD산화막(7)을 제거하는 공정과, 유전체막(9)을 형성하고 플레이트 폴리실리콘(10)을 형성하는 공정을 차례로 실시하여서 이루어짐을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR100198604B1 KR100198604B1 (ko) | 1999-08-02 |
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- 1991-04-13 KR KR1019910005955A patent/KR100198604B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100198604B1 (ko) | 1999-08-02 |
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