KR920010916A - 반도체 메모리 셀 제조방법 - Google Patents
반도체 메모리 셀 제조방법 Download PDFInfo
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- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정 단면도.
Claims (3)
- 스위칭 트랜지스터와 커패시터로 구성되는 메모리 셀에 있어서, 폴리실리콘 패드와, 스토리지 노드 폴리실리콘동시에 마스크없이 자기정합 방법으로 패터닝함을 특징으로 하는 반도체 메모리 셀 제조방법.
- 제1항에 있어서, 자기정합 방법은 기판위에 필드산화막과 게이트 및 CVD 산화막을 형성하고 매몰 콘택을 형성하는 공정과, 제1폴리실리콘과 평탄화용 절연막을 형성하고 패터닝하는 공정과, 상기 표면위에 제2폴리실리콘과 질화막을 차례로 형성하는 공정과, 이방성 건식식각으로 질화막을 에치-백 한후 제1, 제2폴리실리콘을 에치백하는 공정과, 측벽의 질화막을 습식식각으로 제고하고 커패시터 유전막을 형성하는 공정과, 제3폴리 실리콘을 형성하고 피터닝하여 셀 플레이트를 형성하는 공정과, 절연막을 형성하고 콘택 식각한 후 비트라인을 형성하는 공정을 포함하여서 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 메모리 셀 제조방법.
- 제1항에 있어서, 질화막은 질화막 두께 이상으로 에치-백하고 제1, 제2 폴리실리콘은 드러난 폴리실리콘두께 이상으로 에치-백 함을 특징으로 하는 반도체 메모리 셀 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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- 1990-11-13 KR KR1019900018363A patent/KR930008584B1/ko not_active Application Discontinuation
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1991
- 1991-03-14 KR KR1019910004050A patent/KR930010091B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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| KR920018923A (ko) | 1992-10-22 |
| KR930008584B1 (ko) | 1993-09-09 |
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