KR920015566A - 메모리 셀 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (A) 내지 (G)는 본 발명의 제조공정 단면도, 제2도는 (H)는 본 발명의 공정특성 설명도.
Claims (1)
- 기판상에 제1기초산화막과 제1질화막을 형성하고 포토/에치 공정을 거쳐 액티브영역의 상기 제1질화막을 제거하는 단계, 상기 액티브영역에 산화를 행하여 산화막을 형성한 다음 이를 제거하여 필드영역과 단자가 형성되도록 하고 제2초기산화막과 제2질화막을 형성하고 포토/에치공정을 거쳐 필드 영역의 것을 제거하는 단계, 필드영역에 필드산화막을 형성하고 통상의 방법으로 필드산화막과 액티브영역상에 트랜지스터를 형성하는 단계, 전체적으로 절연용산화막과 스택용 폴리실리콘막을 형성한 다음 포토/에치 공정을 거쳐 각 게이트 사이에 메몰 콘택트를 형성하는 단계, 포토/에치 공정을 거쳐 액티브 영역의 게이트 상에만 상기 절연용산화막과 스택용 폴리 실리콘막을 남기고 나머지는 제거하는 단계, 통상의 방법으로 커패시터를 형성하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 메모리 셀 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000288A KR920015566A (ko) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 메모리 셀 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000288A KR920015566A (ko) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 메모리 셀 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920015566A true KR920015566A (ko) | 1992-08-27 |
Family
ID=67396321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910000288A KR920015566A (ko) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 메모리 셀 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920015566A (ko) |
-
1991
- 1991-01-10 KR KR1019910000288A patent/KR920015566A/ko not_active Application Discontinuation
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