KR920017282A - 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 - Google Patents

반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 Download PDF

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KR920017282A
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홍기각
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문정환
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내용 없음

Description

반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a)∼(c)는 본 발명에 따른 제조공정도이다.

Claims (1)

  1. 반도체기판상에 소자격리용 필드산화막, 다결정실리콘과 캡산화막이 적층구조로 된 게이트, 소오스 및 드레인영역을 차례로 형성한 후 상기 게이트의 측면에 질화막과 산화막이 적층된 측벽을 형성하고 상기 필드산화막을 그위에 형성된 상기 게이트의 상기 측벽으로 제한하여 소정깊이로 트랜치하는 공정과, 그위에 스토리지 노드, 유전체막, 플레이트로 된 커패시터를 형성하는 공정으로 이루어진 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법.
    ※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910002282A 1991-02-11 1991-02-11 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 KR0178995B1 (ko)

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