KR920017282A - 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a)∼(c)는 본 발명에 따른 제조공정도이다.
Claims (1)
- 반도체기판상에 소자격리용 필드산화막, 다결정실리콘과 캡산화막이 적층구조로 된 게이트, 소오스 및 드레인영역을 차례로 형성한 후 상기 게이트의 측면에 질화막과 산화막이 적층된 측벽을 형성하고 상기 필드산화막을 그위에 형성된 상기 게이트의 상기 측벽으로 제한하여 소정깊이로 트랜치하는 공정과, 그위에 스토리지 노드, 유전체막, 플레이트로 된 커패시터를 형성하는 공정으로 이루어진 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910002282A KR0178995B1 (ko) | 1991-02-11 | 1991-02-11 | 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910002282A KR0178995B1 (ko) | 1991-02-11 | 1991-02-11 | 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920017282A true KR920017282A (ko) | 1992-09-26 |
| KR0178995B1 KR0178995B1 (ko) | 1999-03-20 |
Family
ID=19310989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910002282A KR0178995B1 (ko) | 1991-02-11 | 1991-02-11 | 반도체 메모리소자의 커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0178995B1 (ko) |
-
1991
- 1991-02-11 KR KR1019910002282A patent/KR0178995B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0178995B1 (ko) | 1999-03-20 |
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