KR920015536A - 디램셀의 스택커패시터 제조방법 - Google Patents
디램셀의 스택커패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제조공정단면도.
Claims (2)
- 기판위에 통상의 방법으로 필드산화막을 형성하고 필드산화막과 액티브 영역상에 트랜지스터 구조를 형성하는 단계, 상기 트랜지스터 상에 전체적으로 격리산화막을 형성하고 포토/에치공정을 거쳐 필드산화막과 액티브영역상의 게이트 사이에 콘택트를 형성하는 단계, 상기 콘택트상에 스토리지노드 폴리실리콘막을 형성하고 이위에 Si3N4막을 형성하는 단계, 상기 Si3N4막 위에 포토/에치 공정을 실시하여 소정 간격으로 가능한한 많은 수의 Si3N4아일랜드를 형성하는 단계, 전체적으로 폴리실리콘막을 증착하고 이를 에치하여 Si3N4아일랜드의 측벽폴리실리콘막을 형성하는 단계, 상기 Si3N4아일랜드를 제거하고 스토리지노드 폴리실리콘막상에 측벽폴리실리콘만을 남기는 단계, 커패시터 유전체막과 플레이트 폴리실리콘막을 차례로 형성하는 단계가 순차적으로 포함됨을 특징으로 하는 디램셀의 스택 커패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Si3N4아일랜드는 뜨거운 H3PO4로 제거함을 특징으로 하는 디램셀의 스텍커패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000846A KR920015536A (ko) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 디램셀의 스택커패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910000846A KR920015536A (ko) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 디램셀의 스택커패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920015536A true KR920015536A (ko) | 1992-08-27 |
Family
ID=67396523
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910000846A KR920015536A (ko) | 1991-01-18 | 1991-01-18 | 디램셀의 스택커패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920015536A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100247603B1 (ko) * | 1996-02-13 | 2000-03-15 | 가네꼬 히사시 | 캐패시터가 적층되어 있는 반도체 장치를 제조하는 방법 |
-
1991
- 1991-01-18 KR KR1019910000846A patent/KR920015536A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100247603B1 (ko) * | 1996-02-13 | 2000-03-15 | 가네꼬 히사시 | 캐패시터가 적층되어 있는 반도체 장치를 제조하는 방법 |
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