KR920010463B1 - 워드라인 트렌치 캐패시터 제조방법 및 구조 - Google Patents
워드라인 트렌치 캐패시터 제조방법 및 구조 Download PDFInfo
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Abstract
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Description
제1도는 종래의 스택 캐패시터 구조 단면도.
제2a∼d도는 본 발명에 따른 워드라인 트렌치 캐패시터 제조공정을 도시한 구조 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
100 : 기판 101 : 워드라인
102 : 사이드월 103 : 스토리지 노드
104 : 캐패시터 절연체 105 : 플레이트
106 : LTO 107,107′: 워드라인 캡 LTO
108,109 : 트렌치 110 : 콘택
112 : N+영역 111 : 필드옥사이드
본 발명은 메모리 소자의 워드라인 트렌치 캐패시터 제조방법 및 구조에 관한 것으로, 특히 작은 면적내에서 큰 캐패시턴스를 얻는데 적당하도록한 워드라인 캐패시터 제조방법 및 구조에 관한 것이다. 종래의 메모리 소자 스택 캐패시터 구조는 제1도에 도시된 단면도에서와 같이 필드옥사이드(111) 및 n+영역(112)이 형성된 실리콘 기판(100)과, 폴리실리콘 또는 폴리사이드로 형성된 워드라인(Gate)(101)과, 상기 워드라인(101)의 양측에 채널 유효길이(Channel Effective Length)증가와 LDD형성을 위한 HLD 사이드월(102)과, 폴리실리콘으로 형성한 캐패시터의 스토리지 노드(103)와, 얇은막(Thin Film)으로 형성된 캐패시터 절연체(104)와, 폴리실리콘으로 형성한 캐패시터 플레이트(105)와, 인터레이어(Inter Layer)격리를 위한 LTO(Low Temperature Oxide)(106)로 구성되며, 이와같은 종래의 기술구성에서는 워드라인(101), 즉 게이트(Gate)위에 트렌치(Trench)를 형성하지 못했기 때문에 트렌치 캐패시터에 의한 캐패시턴스의 증가가 없었다.
따라서 본 발명은 메모리 소자가 고집적화됨에 따른 충분한 캐패시턴스를 얻기위해 워드라인에서 트렌치를 형성하여 캐패시턴스를 증가시킨 것으로서 제2a∼d도를 참고로 제조공정을 상세히 설명하면 다음과 같다.
우선 제2a도에 도시된 바와같이 필드옥사이드(111)와 n+영역(112)이 형성된 실리콘기판(100)위에 워드라인(101)과 캡(Cap) LTO(107) 및 HLD 사이드월(102)을 형성한후 인터레이어 격리용 LTO(016)을 증착(Deposition)한다.
이후 제2b도에 도시된 바와같이 포토 공정과 에치 공정을 실시하여 N+영역(112)과 스토리지 노드와 접촉면(110), 워드라인(101) 캡 LTO(107)의 트렌치(108, 109)를 형성한다.
이때 트렌치(108, 109)가 형성된후의 워드라인 캡 LTO(107′)의 두께는 트렌치 형성전의 워드라인 캡 LTO(107)의 두께와 트렌치 형성시의 오버에치(Cver Etch)양에 따라서 적절히 조정될수 있으며 콘택(110) 형성과 동시에 상기 트렌치(108, 109)를 형성하므로서 마스크(Mask)를 한번만 사용하여도 된다.
이후 제2c도에 도시된 바와같이 스토리지 노드용 폴리실리콘을 증착하고 포토공정과 에치를 통해 스토리지 노드(103)를 형성한다. 따라서 트렌치(108, 109)로 인해 곡률(Curvature)이 증가하게 된다. 이후 제2d도에 도시된 바와같이 캐패시터 절연체(104) 및 플레이트용 폴리실리콘(105)증착후 포토공정과 에치를 통해 캐패시터를 형성한다.
따라서 본 발명에 따른 워드라인 트렌치 캐패시터 제조방법에 의한 캐패시터 구조는 스택 캐패시터 구조와 결합하여 스택트렌치 구조를 형성하므로서 곡률이 크게 증가하여 동일한 평면 면적보다 큰 캐패시턴스를 얻을수 있는 효과가 있다.
Claims (2)
- 필드옥사이드(111)와 N+영역(112)이 형성된 실리콘 기판(100)위에 워드라인(101)과 캡 LTO(107) 및 사이월(102)형성후 LTO(106)를 증착하는 공정과, 상기 LTO(106)증착후 포토공정과 에치 공정을 실시하여 콘택(110)과 워드라인(101) 캡 LTO(107)의 트렌치(108, 109)를 형성하여 워드라인 캡 LTO(107′)를 형성하는 공정과, 상기 워드라인 캡 LTO(107′) 형성후 스토리지 노드(103)와 캐패시터 절연체(104) 및 플레이트(105)를 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 워드라인 트렌치 캐패시터 제조방법.
- 콘택(110) 형성과 동시에 워드라인(101) 캡 LTO(107)상에 트렌치(108, 109)를 형성하여 사이드월(102) 보다 낮은 캡 LTO(107′)를 구성하고, 상기 캡 LTO(107′)상에 캐패시터를 형성하므로서 스택캐패시터와 스택 트렌치의 결합된 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 워드라인 트렌치 캐패시터 구조.
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