KR930003355A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 제조방법 Download PDF

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KR930003355A
KR930003355A KR1019910011716A KR910011716A KR930003355A KR 930003355 A KR930003355 A KR 930003355A KR 1019910011716 A KR1019910011716 A KR 1019910011716A KR 910011716 A KR910011716 A KR 910011716A KR 930003355 A KR930003355 A KR 930003355A
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trench
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KR1019910011716A
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Inventor
라사균
김동원
Original Assignee
문정환
금성 일렉트론 주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 소자의 제조공정도.

Claims (3)

  1. 하나의 트렌지스터와 하나의 커패시터를 가지는 디램의 메모리 셀에 있어서, 실리콘기판(1)에 웰(2)을 형성하여 비트라인과 게이트가 형성될 부분에 트렌치와 소정의 부위에 필드산화막(3)을 형성하는 공정과, 트렌치 양 측벽에 폴리실리콘을 증착하고 RIE하여 게이트(5)를 형성하는 공정과, 상기의 게이트(5)사이에 공통 소오스/드레인을 형성함과 아울러 필드 산화막(3)과 트렌치 사이에 또다른 소오스/드레인을 형성하는 공정과, 전표면에 절연막(7)을 증착한뒤 상기 공통 소오스/드레인 영역에 형성될 절연막(7)을 식각하여 콘택을 형성하고 콘택부위에 비트라인을 형성하는 공정과, 절연막(10)을 전표면에 증착한뒤, 또 다른 소오스/드레인 영역에 형성된 절연막(10)을 식각하여 콘택부위를 형성하고 콘택부위에 저장전극(11)을 형성하는 공정과, 상기 저장전극위에 유전막(12)및 플레이트 전극(13)을 형성하는 공정으로된 반도체 소자 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 스토리지 노드를 형성하는 물질로 인시투 도핑된 비정질 실리콘으로 함을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 비트라인을 폴리실리콘(8)과 실리콘 텅스텐(9)으로 트렌치에 형성함을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100974729B1 (ko) * 2010-04-06 2010-08-06 주식회사신원 앙고라 헤어의 분리방법

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