KR950030356A - 반도체장치 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체장치 제조방법에 관한 것으로, 단순화된 공정에 의해 신뢰성 높인 메모리소자를 제조하기 위한 것이다.
본 발명은 반도체기판 소정영역에 게이트와 소오스 및 드레인을 구비한 셀트랜지스터를 형성하는 공정과, 기판 전면에 제1절연막을 형성하는 공정, 상기 제1절연막을 선택적으로 식각하여 스토리지노드 콘택을 형성하는 공정, 기판 전면에 도전물질을 증착하고 패터닝하여 스토리지노드를 형성하는 공정, 기판 전면에 고유전막과 플레이트전극 형성용 도전층 및 제2절연막을 차례로 형성하는 공정, 상기 제2절연막, 도전층, 고유전막 및 제1절연막을 선택적으로 식각하여 비트라인콘택을 형성하는 공정, 상기 비트라인콘택 측면에 측벽절연막을 형성하는 공정, 기판 전면에 도전물질을 증착하고 패터닝하여 비트라인을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 반도체장치 제조방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 반도체 메모리소자 제조방법을 도시한 공정순서도, 제2도는 본 발명의 반도체 메모리소자 제조방법을 도시한 공정순서도.
Claims (1)
- 반도체기판 소정영역에 게이트와 소오스 및 드레인을 구비한 셀트랜지스터를 형성하는 공정과, 기판 전면에 제1절연막을 형성하는 공정, 상기 제1절연막을 선택적으로 식각하여 스토리지노드 콘택을 형성하는 공정, 기판 전면에 도전물질을 증착하여 패터닝하여 스토리지노드를 형성하는 공정, 기판 전면에 고유전막과 플레이트전극 형성용 도전층 및 제2절연막을 차례로 형성하는 공정, 상기 제2절연막, 도전층, 고유전막 및 제1절연막을 선택적으로 식각하여 비트라인콘택을 형성하는 공정, 상기 비트라인콘택 측면에 측벽절연막을 형성하는 공정, 기판 전면에 도전물질을 증착하고 패터닝하여 비트라인을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940008192A KR950030356A (ko) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | 반도체장치 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940008192A KR950030356A (ko) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | 반도체장치 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950030356A true KR950030356A (ko) | 1995-11-24 |
Family
ID=66677537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940008192A KR950030356A (ko) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | 반도체장치 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950030356A (ko) |
-
1994
- 1994-04-19 KR KR1019940008192A patent/KR950030356A/ko not_active Application Discontinuation
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