KR950024346A - 반도체 메모리장치 제조방법 - Google Patents

반도체 메모리장치 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 메모리장치의 제조방법에 관한 것으로, 작은 면적에서 대용량을 갖는 커패시터를 형성하기 위해 반도체기판상에 게이트절연막, 게이트전극, 소오스 및 드레인영역으로 이루어진 트랜지스터를 형성하는 공정과, 상기 트랜지스터가 형성된 결과를 전면에 평탄화층, 식각저지층, 제1도전층을 차례로 형성하는 공정, 상기 제1도전층과 식각저지층 및 평탄화층을 선택적으로 식각하여 상부에 경사부분을 가지는 스토리지노드 콘택을 형성하는 공정, 상기 결과를 전면에 제2도전층을 형성하는 공정, 상기 제2도전층 및 제1도전층을 선택적으로 식각하여 엣지영역이 경사진 스토리지노드패턴을 형성함과 동시에 스토리지노드간 격리영역을 정의하는 공정, 상기 스토리지노드 콘택과 스토리지노드간 격리영역을 절연막으로 매몰시키는 공정, 상기 제1도전층이 일정두께 남도록 제2도전층 및 제1도전층을 선택적으로 식각하여 내부기둥과 외부기둥을 갖춘 커패시터 스토리지노드를 형성하는 공정, 상기 절연막을 제거하는 공정, 상기 커패시터 스토리지노드 전표면에 커패시터 유전체막을 형성하는 공정, 상기 커패시터 스토리지노드 전표면에 커패시터 유전체막을 형성하는 공정, 및 상기 커패시터 유전체막 전면에 커패시터 플레이트전극을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치 제조방법을 제공한다.

Description

반도체 메모리장치 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 메모리장치 제조방법을 도시한 공정순서도.

Claims (4)

  1. 반도체기판상에 게이트절연막(2), 게이트전극(3), 소오스 및 드레인영역(S/D)으로 이루어진 트랜지스터를 형성하는 공정과, 상기 트랜지스터가 형성된 결과물 전면에 평탄화층(4), 식각저지층(5), 제1도전층(13)을 차례로 형성하는 공정, 상기 제1도전층(13)과 식각저지층(5) 및 평탄화층(4)을 선택적으로 식각하여 상부에 경사부분(13A)을 가지는 스토리지노드 콘택(6)을 형성하는 공정, 상기 제2도전층(l4) 및 제1도전층(13)을 선택적으로 식각하여 엣지영역이 경사진 스트리지노드패턴을 형성함과 동시에 스토리지노드간 격리영역(9)을 정의하는 공정, 상기 스토리지노드 콘택과 스토리지노드간 격리영역을 절연막(15)으로 매몰시키는 공정, 상기 제1도전층(13)이 일정두께 남도록 제2도전층(14) 및 제1도전층(13)을 선택적으로 식각하여 내부기둥(A)과 외부기둥(B)을 갖춘 커패시터 스토리지노드를 형성하는 공정, 상기 절연막(15)을 제거하는 공정, 상기 커패시터 스트리지노드 전표면에 커패시터 유전체막(16)을 형성하는 공정, 및 상기 커패시터 유전체막(16) 전면에 커패시터 플레이트전극(l7)을 형성하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1도전층은 5000A정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치 제조방법.
  3. 제1항에 있어서. 상기 스토리지노드의 내부기둥(A)은 상기 스트리지노드 콘택 상부의 경사부분의 폭과 동일한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 스토리지노드의 외부기둥(B)은 상기 스토리지노드패턴의 엣지부분의 경사진 영역의 폭과 동일한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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