KR970053995A - 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 액티브 여역이 정의된 반도체 기판상에 스위칭 트랜지스터와, 상기 트랜지스터 사이에 비트 라인이 구비되어 있는 제1절연막을 형성하는 공정과 상기 비트라인을 포함한 제1절연막 상에 제2절연막을 형성하는 공정과, 상기 제2절연막 상에 제1도전성막 및, 제3절연막을 순차적으로 형성하는 공정과 감광막을 마스크로 상기 기판의 소정부분이 드러나도록 제3절연막, 제1도전성막, 제2절연막 및, 제1절연막을 식각하여 콘택 홀을 형성하는 공정과 감광막을 마스크로 캐패시터의 스토리지 노드 전극으로 사용될 부분을 제외한 나머지 영역의 제3절연막과 제1도전성말을 측면에 측벽을 형성하는 공정과 상기 제3절연막 상부와 측벽 사이의 제2도전성막을 제거하는 공정 및 상기 제3절연막 및 제4절연막을 제거하는 공정을 구비하여 소자 제조를 완료하므로써, 공정 스텝의 과다한 증가없이도 동일한 2차원적 면적에 대한 단위 셀 캐패시터의 표면적을 증가시킬 수 있게 되어 디램 메모리 셀의 정전용량을 증가시킬 수 있게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(가)도 내지 제2(마)도는 본 발명에 따른 디램 셀 캐패시터 제조방법을 도시한 공정수순도.
Claims (6)
- 액티브 영역이 정의된 반도체 기판 상에 스위칭 트랜지스터와, 상기 트랜지스터 사이에 비트 라인이 구비되어 있는 제1절연막을 형성하는 공정과; 상기 비트 라인을 포함한 제1절연막 상에 제2절연막을 형성하는 공정과; 상기 제2절연막 상에 제1도전성막 및 제3절연막을 순차적으로 형성하는 공정과; 감광막을 마스크로 상기 기판의 소정 부분이 드러나도록 제3절연막, 제1도전성막, 제2절연막 및, 제1절연막을 식각하여 콘택 홀을 형성하는 공정과; 감광막을 마스크로 캐패시터의 스토리지 노드 전극으로 사용될 부분을 제외한 나머지 영역의 제3절연막과 제1도전성막을 식각하는 공정과 상기 콘택 홀과 제3절연막, 제1도전성막을 포함한 제2절연막 전면에 제2도전성막 형성하는 공정과 상기 제2도전성막 상에 제4절연막을 형성하는 공정과; 상기 제4절연막을 건식식각 하여 제2도전성막 측면에 측벽을 형성하는 공정과; 상기 제3절연막 상부에 측벽 사이의 제2도전성막을 제거하는 공정 및; 상기 제3절연막 및 제4절연막을 제거하는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막과 제3절연막은 서로 식각선택성이 있는 절연물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막과 제4절연막은 서로 식각선택성이 있는 절연물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 비트라인을 포함한 제1절연막 상에 제2절연막을 형성한 후, 그 위에 식각저지막을 형성하는 공정을 더 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 식각저지막은 제2절연막과 식각선택성이 있는 절연물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자으 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3절연막과 제4절연막은 동일한 식각선택성을 갖는 절연물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 바노체 소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047891A KR970053995A (ko) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019950047891A KR970053995A (ko) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970053995A true KR970053995A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66593057
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019950047891A KR970053995A (ko) | 1995-12-08 | 1995-12-08 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053995A (ko) |
-
1995
- 1995-12-08 KR KR1019950047891A patent/KR970053995A/ko not_active Application Discontinuation
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