KR970063730A - 강유전체 메로리 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

강유전체 메로리 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 강유전체 메모리 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 강유전체 메모리 장치에 있어서, 커패시터의 하부 전극과 트랜지스터의 활성 영역을 전기적으로 연결시키는 콘택은 상기 하부 전극의 한 측면 및 그와 연결되는 하부 전극의 상면의 일부와, 상기 활성 영역의 일부가 동시에 노출되는 단일의 콘택홀에 의해 형성된다. 상기 강유전체 메모리 장치를 제조하기 위하여 본 발명에 따른 방법에서는 커패시터의 하부 전극 일부와 활성 영역의 일부를 동시에 포함하는 영역을 노출시키는 포토 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 하부 전극의 일부가 노출될 때까지 에칭하고, 상기 포토레지스트 패턴과 상기 하부 전극의 노출된 부분을 에칭 마스크로 하여 상기 활성 영역의 반도체 기판을 노출시키는 콘택홀을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고, 상기 콘택홀에 도전물질을 침적하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 반도체 장치를 더욱 고집적화할 수 있는 강유전체 메모리 장치를 얻을 수 있다.

Description

강유전체 메모리 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 강유전체 메모리 장치의 셀 배치도이다.

Claims (5)

  1. 필드 산화막에 의해 활성 영역과 비활성 영역이 한정된 반도체 기판과, 상기 반도체 기판상에 형성된 트랜지스터와, 상기 트랜지스터가 형성된 반도체 기판상의 소정의 영역에서 하부 전극, 강유전체막, 상부 전극이 순차 적층되어 형성된 커패시터와, 상기 커패시터의 하부 전극과 상기 트랜지스터의 활성 영역을 전기적으로 연결시키는 콘택을 포함하는 강유전체 메모리 장치에 있어서, 상기 콘택은 상기 하부 전극의 한 측면 및 그와 연결되는 하부 전극의 상면의 일부와, 상기 활성 영역의 일부가 동시에 노출되는 단일의 콘택홀에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 콘택은 Ti/TiN/Ai 또는 Ti/TiN/W으로 구성된 도전 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 커패시터의 강유전체막은 PZT(PbZrxTi1-xO3)로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 커패시터의 하부 전극은 백금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 장치.
  5. 활성 영역과 비활성 영역이 한정된 반도체 기판상에 트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 트랜지스터가 형성된 반도체 기판 전면에 제1층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1층간 절연막상의 소정의 영역에 하부전극, 강유전체막, 상부 전극이 차례로 적층된 커패시터를 형성하는 단계와, 상기 커패시터가 형성된 결과물상에 제2층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 커패시터이 하부 전극과 상기 활성 영역을 전기적으로 연결시키는 콘택 형성 단계를 포함하는 강유전체 메모리 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 콘택 형성 단계는 상기 하부 전극의 일부와 상기 활성 영역의 일부를 동시에 포함하는 영역을 노출시키는 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 하부 전극의 일부가 노출될 때까지 에칭하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴과 상기 하부 전극의 노출된 부분을 에칭 마스크로 하여 상기 활성 영역의 반도체 기판을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 상기 콘택홀에 도전물질을 침적하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고유전체 메모리 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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