KR960026740A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판에 게이트전극을 형성하고 상기 게이트전극의 상측에만 제1층간 절연막을 형성한 다음, 상기 제1층간절연막 형상이 노출되도록 전체 표면상부에 제2층간절연막을 형성하고 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 제2층간절연막을 식각하여 콘택홀을 형성한 다음, 상기 반도체기판에 콘택되는 도전층을 일정두께 형성하고, 저장전극마스크를 이용한 신각공정을 실시함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고, 후공정에서 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 확보할 수 있는 캐패시터를 형성함으로써 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 이에 따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 개패시터 제조공정을 도시한 단면도.
Claims (4)
- 반도체기판 상부에 소자분리절연막, 게이트전극 및 불순물 확산영역을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 제1층간절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1층간절연막 상부에 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴을 마스크로하여 상기 제1층간절연막을 식각하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거하는 공정과, 상기 전체표면상부에 상기 제2층간절연막을 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용하여 콘택홀을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 도전층을 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용하여 상기 도전층을 식각함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층은 단자피복성이 우수한 전도물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1,2층간절연막은 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막패턴은 상기 게이트전극의 상측에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039228A KR960026740A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039228A KR960026740A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026740A true KR960026740A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039228A KR960026740A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026740A (ko) |
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039228A patent/KR960026740A/ko not_active Application Discontinuation
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