KR960026848A - 반도체소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents

반도체소자의 캐패시터 제조방법 Download PDF

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KR960026848A
KR960026848A KR1019940039024A KR19940039024A KR960026848A KR 960026848 A KR960026848 A KR 960026848A KR 1019940039024 A KR1019940039024 A KR 1019940039024A KR 19940039024 A KR19940039024 A KR 19940039024A KR 960026848 A KR960026848 A KR 960026848A
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forming
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interlayer insulating
semiconductor substrate
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KR1019940039024A
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황준
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 캐패시터 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 층간절연막을 형성하고 콘택마스크를 이용하여 상기 층간절연막과 일정깊이의 반도체기판을 식각한 다음, 상기 반도체기판에 불순물 확산 영역을 형성하고 전체표면상부에 도전층을 일정두께 형성한 다음, 저잔전극마스크를 이용하여 상기 도전층을 식각함으로써 표면적이 증가된 저장전극을 형성하고, 후공정에서 반도체소자의 고집적화에 충분한 정전용량을 확보할 수 있는 캐패시터를 형성함으로써 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하고 이에 따른 반도체소자의 신뢰성을 향상시키는 기술이다.

Description

반도체소자의 캐패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2D도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 캐패시터 제조공정을 도시한 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체기판 상부에 소자분리절연막과 게이트전극을 형성하는 공정과, 전체표면상부에 층간절연막을 형성하는 공정과, 콘택마스크를 이용하여 상기층간절연막과 일정깊이의 반도체기판을 식각함으로써 홈을 형성하는 공정과, 상기 반도체기판에 불순물 확산영역을 형성하는 공정과, 상기 불순물 확산영역에 콘택되는 도전층을 형성하는 공정과, 저장전극마스크를 이용한 식각공정으로 표면적이 증가된 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 캐패시터 제저방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 층간절연막은 플로우가 잘되는 절연물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 불순물 확산영역은 상기 식각된 층간절연막을 마스크로하여 불순물을 주입하므로써 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 불순물은 고농도의 N형 불순물이 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 캐패시터 제조방법.
    ※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940039024A 1994-12-29 1994-12-29 반도체소자의 캐패시터 제조방법 KR960026848A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102450541B1 (ko) 2021-05-18 2022-10-05 윤기환 타이바레스 사출 성형기

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