KR970004000A - 승압용 모스 커패시터를 갖는 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

승압용 모스 커패시터를 갖는 반도체장치 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

승압용 모스 커패시터를 갖는 반도체장치 및 그 제조방법이 개시되어 있다.모스 커패시터가 형성될 영역에 소정의 단차부를 갖는 반도체기판 상에, 상기 반도체기판의 단차부를 실리콘 노드로 사용하고 그 위에 게이트유전막 및 게이트전극이 적층된 구조의 모스 커패시터가 형성된다. 상기 단차부를 제외한 기판 상에는, 게이트유전막을 개재하여 형성된 게이트전극 및 상기 게이트전극을 사이에 두고 형성된 소오스/드레인으로 이루어진 트랜지스터가 형성된다. 상기 단차부는 리세스부 또는 하나 이상의 요철부로 형성될 수 있다. 칩 면적을 줄이면서 모스 커패시터의 유효면적을 증대시킬 수 있으며, 트랜지스터의 채널영역과 모스 커패시터의 실리콘 노드의 도우핑 레벨을 차별화시켜서 모스 커패시터의 Cmin/Cmax 비율의 차이를 최소화할 수 있다.

Description

승압용 모스 커패시터를 갖는 반도체장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 의한 반도체장치의 단면도, 제3도는 본 발명의 제2실시예에 의한 반도체장치의 단면도.

Claims (12)

  1. 소정의 단차부를 갖는 반도체기판; 상기 반도체기판의 단차부를 실리콘 노드로 사용하고, 그 위에 게이트유전막 및 게이트전극이 적층되어 형성된 모스 커패시터; 및 상기 단차부를 제외한 기판 상에 게이트유전막을 개재하여 형성된 게이트전극 및 상기 게이트전극을 사이에 두고 형성된 소오스/드레인으로 이루어진 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체기판의 단차부는 리세스부인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 리세스부의 깊이는 4000~6000Å 정도인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반도체기판의 단차부는 하나 이상의 요철부인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 모스 커패시터의 실리콘 노드로 사용되는 상기 기판의 단차부와 상기 트랜지스터의 소오스/드레인 사이의 기판 표면의 도우핑 레벨이 서로 다른 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. 제1도전형의 반도체기판 상에 소자분리막을 형성하여 활성영역과 분리영역을 정의하는 단계; 마스크 패턴을 이용하여 모스 커패시터가 형성될 활성영역의 반도체기판을 식각하여 단차부를 형성하는 단계; 상기 마스크패턴을 이용하여 상기 단차부의 표면에 제1도전형의 불순물을 이온주입하는 단계; 상기 마스크 패턴을 제거하고, 결과물 상에 게이트유전막 및 게이트전극을 차례로 적층함으로써, 실리콘 노드로 사용되는 상기 기판의 단차부, 게이트유전막 및 게이트전극으로 이루어진 모스 커패시터를 형성하는 단계; 및 트랜지스터의 소오스/드레인 형성을 위해 제2도전형의 불순물을 이온주입함으로써, 상기 단차부를 제외한 기판 상에 상기 게이트유전막, 게이트전극 및 소오스/드레인으로 이루어진 트랜지스터를 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 단차부는 리세스부로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 리세스부의 깊이는 4000~6000Å 정도인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 단차부는 하나 이상의 요철부로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 하나 이상의 요철부는, 마스크 패턴이 가능한 수준의 라인과 스페이스로서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 하나 이상의 요철부는 필라 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  12. 제6항에 있어서, 상기 제1도전형의 불순물은, 모스 커패시터의 게이트전극 바이어스에 따라 공핍에 의한 커패시턴스의 감소가 최소가 되는 조건으로 이온주입하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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