KR960036064A - 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 전하저장전극 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 전하저장전극 제조방법에 관한 것으로서, 필드산화막과 게이트 산화막 및 게이트전극등이 형성되어 있는 반도체기판상에 전하저장전극 콘택홀을 구비하는 층간절연막을 형성한 후, 전하저장전극 콘택홀을 메우는 진성 다결정실리콘층을 전표면에 형성하고, 상기 진성 다결정실리콘층에서 전하저장전극으로 예정되어 있는 부분을 노출시키는 감광막패턴을 형성하고, 노출되어 있는 진성 다결정 실리콘층에 불순물 이온을 주입하여 열처리로 확산시켜 전하저장전극을 형성하거나, 인접한 전하저장전극 콘택홀에 대하여 하나 걸러 하나씩 대응되는 전하저장전극들을 두차례의 도전층 도포 및 사진식각방법으로 형성하여, 인접한 전하저장전극들간의 간격을 감소시켰으므로, 전하저장전극의 표면적이 증가되어 소자동작의 신뢰성이 향상되고, 공정이 간단하여 공정 수율이 향상된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체소자의 레이아웃도, 제4A도 내지 제4C도는 제3도에 도시되어 있는 반도체소자의 전하저장전극 제조공정도.
Claims (6)
- 소자분리 산화막과 게이트산화막이 형성되어 있는 반도체기판상에 일련의 제이트전극들을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극들 양측의 반도체기판에 소오스/드레인전극을 형성하는 공정과, 상기 구조의 표면에 구비하는 층간절연막을 도포하는 공정과, 상기 소오스/드레인전극에서 전하저장전극 콘택으로 예정되어 있는 부분 상측의 층간절연막을 제거하여 전하저장전극 콘택홀을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 상기 콘택홀들을 메우는 진성 다결정실리콘층을 도포하는 공정과, 상기 진성 다결정실리콘층에서 전하저장전극으로 예정되어 있는 부분에 불순물을 포함시켜 전하저장전극을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 전하저장전극의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 인접한 전하저장전극들간의 간격이 0.2~0.4㎛로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하저장전극의 제조방법.
- 소자분리 산화막과 게이트산화막이 형성되어 있는 반도체기판상에 일련의 게이트전극들을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극들 양측의 반도체기판에 소오스/드레인전극을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전 표면에 층간절연막을 도포하는 공정과, 상기 소오스/드레인전극에서 전하저장전극 콘택으로 예정되어 있는 부분 상측의 층간절연막을 제거하여 전하저장전극 콘택홀들을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제1도전층을 도포하여 상기 콘택홀들을 메우는 공정과, 상기 제1도전층에서 전하저장전극으로 예정되어 있는 부분이 남도록 페터닝하여 제1전하저장전극을 형성하되, 전하저장전극 콘택홀에 대하여 하나 걸러 하나씩 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제2도전층을 도포하는 공정과, 상기 제2도전층을 패턴닝하여 상기 제1전하저장전극이 형성되어 있지 않은 전하저장전극 콘택홀 부분에 제2전하저장전극을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 전하저장전극의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2도전층을 다결정실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하저장전극의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전하저장전극의 간격이 디자인롤 보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하저장전극의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전하저장전극의 간격이 0.2~0.3㎛로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 전하저장전극의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006129A KR960036064A (ko) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950006129A KR960036064A (ko) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960036064A true KR960036064A (ko) | 1996-10-28 |
Family
ID=66553015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950006129A KR960036064A (ko) | 1995-03-22 | 1995-03-22 | 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960036064A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100450665B1 (ko) * | 1998-02-04 | 2004-11-16 | 삼성전자주식회사 | 정렬여유도를 증가시키는 자기정렬콘택 패드를 갖는 반도체소자 |
-
1995
- 1995-03-22 KR KR1019950006129A patent/KR960036064A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100450665B1 (ko) * | 1998-02-04 | 2004-11-16 | 삼성전자주식회사 | 정렬여유도를 증가시키는 자기정렬콘택 패드를 갖는 반도체소자 |
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