KR950034630A - 반도체소자의 저장전극 형성방법 - Google Patents

반도체소자의 저장전극 형성방법 Download PDF

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KR950034630A
KR950034630A KR1019940011176A KR19940011176A KR950034630A KR 950034630 A KR950034630 A KR 950034630A KR 1019940011176 A KR1019940011176 A KR 1019940011176A KR 19940011176 A KR19940011176 A KR 19940011176A KR 950034630 A KR950034630 A KR 950034630A
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 저장전극 형성방법에 관한 것으로, 반도체소자가 고집적화됨에 따라 더 적은 셀에 더 많은 전하 축전용량을 필요로 하게 되어 삼차원의 핀형 저장전극을 형성함으로써 필요한 전하축전용량을 확보하되, 종래기술에서 감광막을 이용하여 형성하는 저장전극 마스크를 형성하지 않고 습식용액에서 두개의 산화막 식각비 차를 이용하여 저장전극을 형성함으로써 공정을 단축시켜 생산단가를 절감할 수 있어 반도체소자의 생산성으로 향상사킬 수 있는 기술이다.

Description

반도체소자의 저장전극 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명의 실시예로서 반도체소자의 저장전극 형성공정을 도시한 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체소자의 저장전극 형성방법에 있어서, 반도체기판 상부에 하부절연층을 형성하고 그 상부에 제1산화막과 제2산화막 순서로 형성된 층을 일곱층 증착한 다음, 전체구조상부에 콘택마스크를 형성하는 공정과, 상기 콘택마스크를 이용하여 상기 일곱층의 제2산화막과 제1산화막을 식각하는 동시에 상기 반도체기판이 노출되도록 두개의 콘택홀을 형성하고 상기 콘택마스크를 제거하는 공정과, 습식방식으로 상기 식각된 제1산화막의 양측을 일정두께 측면식각하여 제1산화막패턴을 형성하는 공정과, 상기 콘택홀을 통하여 상기 반도체기판에 접속되도록 저장전극용 다결정실리콘막을 전체구조상부에 일정두께 증착하는 공정과, 상기 최상부에 형성된 제2산화막을 식각장벽으로 하여 상기 저장전극용 다결정실리콘막을 전면식각하는 공정과, 습식방법으로 상기 제2산화막과 제1산화막패턴을 제거함으로써 일곱개의 핀을 갖는 두개의 핀형 저장전극을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 두번의 습식방법은 BOE를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 저장전극 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940011176A 1994-05-23 1994-05-23 반도체소자의 저장전극 형성방법 KR950034630A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100230382B1 (ko) * 1996-11-18 1999-11-15 윤종용 핀형 커패시터 제조방법

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