KR970054026A - 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법 - Google Patents
반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자 및 그 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
16M DRAM 제조에 핀(Fin) 구조의 캐패시터가 범용되고 있는데 충분함 용량을 확보하지 못하고 있고 핀구조의 특성상 클리닝시 전하저장 전극이 손상되거나 부러질 위험이 있다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
종래의 핀(Fin) 구조의 캐패시터의 상층과 하층을 연결하는 부분을 세부분으로 늘리므로써, 연결부위의 상층과 하층 폴리실리콘 연결부분이 전하용량을 높이고 구조도 안정된 반도체 소자의 캐패시터를 제조하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 핀구조의 캐패시터를 제조하는데 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 내지 제2D도는 본 발명의 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법에 따른 공정도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 캐패시터를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 기판에 소자 분리막, 모스 트랜지스터, 층간 절연막 및 캐패시터 콘택홀이 형성된 구조 상에 상기 캐패시터 콘택홀의 측벽에 측벽 스페이서를 형성한 후, 전하저장 전극용 제1폴리실리콘막을 증착하는 단계와, 전하저장 전극의 형성을 용이하게 하기 위한 희생산화막을 증착한 후, 상기 캐패시터 콘택홀의 중앙 및 상기 캐패시터 콘택홀의 양옆에 폴리실리콘 콘택홀을 형성하기 위한 제1포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1포토레지스트 패턴을 식각 배리어로 이용하여 상기 회생산화막을 건식식각한 후, 잔류 포토레지스트를 제거하고 전하저장 전극용 제2폴리실리콘층을 층착하는 단계와, 마스크 및 식각 공정을 통해 상기 세개의 폴리실리콘 콘택홀을 포함하도록 전하저장 전극을 형성한 후, 상기 회생산화막을 습식식각하는 단계 및, 유전층 및 플레이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법.
- 반도체 소자의 캐패시터에 있어서, 반도체 기판에 소자 분리막, 모스 트랜지스터, 층간절연막 및 캐패시터를 형성하기 위한 콘택홀이 형성된 구조 상에 상기 콘택홀의 상부 및 양측이 연결된 상층 및 하층 폴리실리콘층으로 이루어진 핀 구조의 전하저장 전극과, 상기 전하저장 전극의 표면을 따라 형성된 유전층과, 전체구조상에 형성된 플레이트 전극을 포함하여 이루어진 반도체 소자의 캐패시터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950054372A KR970054026A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법 |
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KR1019950054372A KR970054026A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970054026A true KR970054026A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66617375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950054372A KR970054026A (ko) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970054026A (ko) |
-
1995
- 1995-12-22 KR KR1019950054372A patent/KR970054026A/ko not_active Application Discontinuation
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