KR970053888A - 캐패시터의 전하 저장 전극 형성 방법 - Google Patents
캐패시터의 전하 저장 전극 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자의 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 소자가 고집적화됨에 따라 캐패시터가 차지할 수 있는 면적은 줄어들고 있지만, 캐패시터는 소자를 동작시키기에 충분한 전하 용량을 수용할 수 있어야 한다. 그런데 종래의 방법으로는 좁은 공간에서 충분한 전하 용량을 가지면서 소자를 고집적화하는데는 한계가 있었고 제조 공정이 복잡하였다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
전하 저장 전극의 중앙에 빈 공간이 형성되도록 하는 간단한 공정으로 고용량의 캐패시터 전하 저장 전극을 형성하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
캐패시터의 전하 저장 전극 형성 방법.
※ 선택도 : 제1D도
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명의 캐패시터의 전하 저장 전극 형성 방법에 따른 공정도.
Claims (1)
- 캐패시터의 전하 저장 전극 형성 방법에 있어서, 반도체 기판에 소자 분리막과 모스 트랜지스터와 층간 절연막 및 질화막이 형성된 구조 상에 캐패시터를 형성하기 위한 콘택 홀을 형성하고 전하 저장 전극을 형성하기 위한 제1폴리실리콘을 증착하는 단계와, 전하 저장 전극의 모양 형성을 용이하게 하기 위한 희생 산화막 2을 증착한 후, 상기 희생 산화막을 정의하기 위한 제1포토레지스트 패턴을 형성하고 상기 제1포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 이용하여 상기 희생 산화막을 식각하는 단계와, 잔류 포토레지스트를 제거하고 전하 저장 전극을 형성하기 위한 제2폴리실리콘을 증착하는 단계와, 상기 희생 산화막 상부의 일부를 오픈시키고 형성될 전하 저장 전극의 크기를 정의하기 위한 제2포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 이용하여 상기 제2 및 제1폴리실리콘을 건식 식각하는 단계와, 상기 희생 산화막을 습식 식각하고, 잔류 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함해서 이루어진 캐패시터의 전하 저장 전극 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047086A KR970053888A (ko) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 캐패시터의 전하 저장 전극 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950047086A KR970053888A (ko) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 캐패시터의 전하 저장 전극 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR970053888A true KR970053888A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66593633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950047086A KR970053888A (ko) | 1995-12-06 | 1995-12-06 | 캐패시터의 전하 저장 전극 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970053888A (ko) |
-
1995
- 1995-12-06 KR KR1019950047086A patent/KR970053888A/ko not_active Application Discontinuation
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