KR970003966A - 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 - Google Patents
반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 소자가 고집적화됨에 따라 종래의 캐패시터 제조 방법으로는 좁은 공간에서 충분한 전하용량을 가질 수 없었으므로 소자를 고집적화하는데 한계가 있다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
제1층간절연막과 제2층간절연막 사이에 식각정지막을 형성하여 제2층간절연막이 습식식각된 공간을 이용하여 전하저장 전극의 표면적을 증대시켜 고용량을 수용할 수 있어 고집적 소자에 이용할 수 있는 캐패시터를 제조하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 캐패시터를 제조하는데 주로 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명의 캐패시터 제조 방법에 따른 공정도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 캐패시터를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 기판상에 모스 트렌지스터가 형성된 전체 구조 상부에 제1층간절연막과 식각중지막과 제2층간절연막을 차례로 증착하는 단계와, 상기 모스 트렌지스터의 접합부 상에 콘택홀을 형성하는 단계와, 전하저장 전극용 제1폴리실리콘을 증착하고 상기 제1폴리실리콘층을 정의하기 위한 제1포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1포토레지스트 패턴을 식각배리어로 이용하여 상기 제1폴리실리콘을 식각하고 잔류 포토레지스트를 제거하는 단계와, 상기 제2층간절연막을 습식식각하여 제거한 후 전하저장 전극용 제2폴리리실리콘을 증착하는 단계와, 전하저장 전극을 소자별로 분리하기 위한 제2포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2포토레지스트 패턴을 식각 배리어로 이용하여 상기 제2폴리실리콘을 식각하고 잔류 포토레지스트를 제거하는 단계와, 유전층과 플레이트 전극용 제3폴리실리콘을 차례로 증착하는 단계를 포함하여 이루어진 캐패시터 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 식각중지막은 상기 제2층간절연막보다 식각률이 낮은 물질인 것을 특징으로 하는 캐패시터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019372A KR970003966A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950019372A KR970003966A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR970003966A true KR970003966A (ko) | 1997-01-29 |
Family
ID=66526676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950019372A KR970003966A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR970003966A (ko) |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950019372A patent/KR970003966A/ko not_active Application Discontinuation
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