KR970003967A - 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 - Google Patents
반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970003967A KR970003967A KR1019950019374A KR19950019374A KR970003967A KR 970003967 A KR970003967 A KR 970003967A KR 1019950019374 A KR1019950019374 A KR 1019950019374A KR 19950019374 A KR19950019374 A KR 19950019374A KR 970003967 A KR970003967 A KR 970003967A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polysilicon
- etching
- charge storage
- forming
- storage electrode
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 소자가 고집적화됨에 따라 종래의 캐패시터 제조 방법으로는 좁은 공간에서 충분한 전하용량을 가질 수 없었으므로 소자를 고집적화하는데 한계가 있다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
층간절연막을 습식식각하여 언더컷되어 형성된 굴곡을 따라 전하저장 전극을 형성하므로써 표면적을 증대시켜 고용량을 수용할 수 있어 고집적 소자에 이용할 수 있는 캐패시터를 제조하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 캐패시터를 제조하는데 주로 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명의 캐패시터 제조 방법에 따른 공정도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 캐패시터를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 기판상에 모스 트렌지스터, 층간절연막 및 콘택홀이 형성된 전체 구조 상부에 전하저장 전극용 제1폴리실리콘을 층착하는 단계와, 상기 제1폴리실리콘층을 정의하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 배리어로 이용하여 상기 제1폴리실리콘을 건식식각한 후 잔류 포토레지스트를 제거하는 단계와, 상기 제1폴리실리콘의 식각에 의해 노출된 상기 층간 절연막을 일부 습식식각하는 단계와, 전하저장 전극용 제2폴리실리콘을 증착한 후 게이트 전극 상부에 전하저장 전극을 소자별로 분리하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 식각 배리어로 이용하여 상기 제2폴리실리콘을 식각하는 단계와, 잔류 포토레지스트를 제거하고 유전층과 플레이트 전극용 제3폴리실리콘을 차례로 증착하는 단계를 포함하여 이루어진 캐패시터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019374A KR970003967A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019374A KR970003967A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003967A true KR970003967A (ko) | 1997-01-29 |
Family
ID=66526492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950019374A KR970003967A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003967A (ko) |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950019374A patent/KR970003967A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940010400A (ko) | 캐패시터의 저장전극 제조방법 | |
| KR940016805A (ko) | 반도체 소자의 적층 캐패시터 제조 방법 | |
| KR940012615A (ko) | 반도체메모리장치 및 그 제조방법 | |
| KR940016806A (ko) | 반도체 기억장치의 커패시터 및 그 제조방법 | |
| KR970003967A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR950007098A (ko) | 디램셀 제조방법 | |
| KR970024212A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR950026042A (ko) | 적층 캐패시터 제조방법 | |
| KR970003966A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR970024207A (ko) | 디램 반도체소자의 제조방법(method for fabricating DRAM semiconductor device) | |
| KR930008882B1 (ko) | 반도체 메모리 소자의 더블스택 커패시터 제조방법 | |
| KR950007106A (ko) | 디램(dram)셀 커패시터 제조방법 | |
| KR100304948B1 (ko) | 반도체메모리장치제조방법 | |
| KR970054029A (ko) | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 | |
| KR970003965A (ko) | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 | |
| KR970024179A (ko) | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 | |
| KR960032747A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
| KR970054031A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR950021628A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970053888A (ko) | 캐패시터의 전하 저장 전극 형성 방법 | |
| KR19990017572A (ko) | 고집적 반도체 메모리 소자의 스토리지 노드 층 형성방법 | |
| KR940016786A (ko) | 반도체 메모리 장치의 제조 방법 | |
| KR940016828A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970024146A (ko) | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 | |
| KR970054026A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |