KR970003965A - 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 - Google Patents
캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970003965A KR970003965A KR1019950019365A KR19950019365A KR970003965A KR 970003965 A KR970003965 A KR 970003965A KR 1019950019365 A KR1019950019365 A KR 1019950019365A KR 19950019365 A KR19950019365 A KR 19950019365A KR 970003965 A KR970003965 A KR 970003965A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- charge storage
- forming
- storage electrode
- capacitor
- polysilicon
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술 분야
반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 방법으로는 반도체 소자가 고집적화되면서 캐패시터가 차지할 수 있는 공간이 줄어들고 있어 소자를 동작시키기에 충분한 전하용량을 가진 캐패시터를 형성하기에는 힘들다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
전하저장 전극용 제1폴리실리콘 상에 링 모양의 질화막 띠를 형성하고 상기 질화막 띠를 따라 전하저장 전극용 제2폴리실리콘을 증착하므로써 전극의 표면적을 극대화한 캐패시터를 제조하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
캐패시터의 전하저장 전극을 형성하는데 주로 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명의 캐패시터 전하저장 전극 형성 방법에 따른 공정도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법에 있어서, 반도체 기판에 필드 산화막, 모스 트랜지스터 및 비트 라인이 형성된 구조 상에 층간 절연막을 형성하고 전하저장 전극용 제1폴리실리콘과 질화막을 차례로 증착하는 단계와, 상기 모스 트랜지스터의 접합 영역 상에 전하저장 전극을 형성하기 위한 콘택홀을 형성하는 단계와, 링 모양의 질화막 띠를 형성하기 위한 제1포토레지스트 패턴을 형성하고 상기 제1포토레지스트 패턴을 식각 배리어로 이용하여 상기 질화막을 식각하는 단계와, 잔류 포토레지스트를 제거하고 전하저장 전극용 제2폴리실리콘을 증착하는 단계와, 전하저장 전극을 정의하기 위한 제2포토레지스트 패턴을 형성하고 상기 제2포토레지스트 패턴을 식각 배리어로 이용하여 상기 제2폴리실리콘 및 상기 제1폴리실리콘을 식각하여 전하저장 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 플래쉬 메모리 소자 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019365A KR970003965A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019365A KR970003965A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003965A true KR970003965A (ko) | 1997-01-29 |
Family
ID=66526038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950019365A KR970003965A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003965A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10418698B2 (en) | 2015-03-16 | 2019-09-17 | Hctm Co., Ltd. | Omnidirectional antenna using rotation body |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950019365A patent/KR970003965A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10418698B2 (en) | 2015-03-16 | 2019-09-17 | Hctm Co., Ltd. | Omnidirectional antenna using rotation body |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970003965A (ko) | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 | |
| KR970024212A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR970024179A (ko) | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 | |
| KR970024207A (ko) | 디램 반도체소자의 제조방법(method for fabricating DRAM semiconductor device) | |
| KR970054029A (ko) | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 | |
| KR100227632B1 (ko) | 캐패시터 구조 및 그 제조방법 | |
| KR970003966A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR100232205B1 (ko) | 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 | |
| KR970054031A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR970053888A (ko) | 캐패시터의 전하 저장 전극 형성 방법 | |
| KR960002827A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR19990003042A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성방법 | |
| KR970018745A (ko) | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 | |
| KR960002791A (ko) | 반도체 메모리 소자의 구조 및 제조방법 | |
| KR970053889A (ko) | 캐패시터 제조 방법 | |
| KR970003967A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 | |
| KR960015939A (ko) | 반도체소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970024146A (ko) | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 | |
| KR970053929A (ko) | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 | |
| KR970024318A (ko) | 캐패시터의 전하저장 전극 및 그 형성 방법 | |
| KR940016766A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR970003531A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 형성을 위한 콘택홀 형성방법 | |
| KR970023729A (ko) | 캐패시터의 전하저장 전극 및 그 형성 방법 | |
| KR960002825A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 | |
| KR960019726A (ko) | 반도체장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |