KR970024146A - 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자의 제조 방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
캐패시터 면적 감소에도 한계가 있을 뿐만 아니라 캐패시터 면적 감소와 더불어 제품 품질 및 특성과 집적화에 중요한 변수가 되는 충분한 캐패시터의 용량 확보가 어렵다는 문제점이 발생하였음.
3. 발명의 해결방법의 요지
제1전하저장 전극용 폴리실리콘, 산화막을 차례로 형성한후 캐패시터가 형성될 부분에 콘택홀을 형성하고, 상기 콘택홀에 인접하는 산화막의 일부를 잔류하도록 상기 산화막을 식각하고, 전체구조 상부에 제2전하저장 전극용 폴리실리콘을 증착한 후 전하저장 전극을 정의하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성하여 상기 포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 이용하여 상기 제1 및 제2 전하저장 전극용 폴리실리콘을 습식 식각함으로써 캐패시터 전하저장 전극의 표면적을 증대시키고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 제조, 특히 캐패시터 전하저장 전극 형성에 이용됨
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명의 캐패시터 전하저장 전극 형성 방법에 따른 제조 공정도.
Claims (1)
- 캐패시터 전하저장 전극 형성 방법에 있어서, 전체구조 상부에 층간 절연막, 제1전하저장 전극용 폴리실리콘, 산화막을 차례로 형성하고, 소정의 사진 식각 공정을 수행하여 캐패시터가 형성될 부분에 콘택 홀을 형성하고, 상기 콘택 홀에 인접하는 상기 산화막의 일부가 가려지고 나머지 부분은 오픈되도록 하는 제1포토레지스트 패턴을 형성한 후 상기 제1포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 이용하여 상기 산화막을 식각하는 단계와, 상기 제1포토레지스트 패턴을 제거한후 전체 구조 상부에 제2전하저장 전극용 폴리실리콘을 증착하고, 캐패시터 전하저장 전극을 정의하기 위한 제2포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제2포토래지스트 패턴을 식각 베리어로 이용하여 상기 제1 및 제2 전하저장 전극용 폴리실리콘층을 차례로 습식 식각하는 단계와, 상기 제2포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함해서 이루어진 캐패시터 전하저장 전극 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950035781A KR970024146A (ko) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019950035781A KR970024146A (ko) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970024146A true KR970024146A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66583194
Family Applications (1)
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KR1019950035781A KR970024146A (ko) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970024146A (ko) |
-
1995
- 1995-10-17 KR KR1019950035781A patent/KR970024146A/ko not_active Application Discontinuation
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