KR970024146A - 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 - Google Patents

캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970024146A
KR970024146A KR1019950035781A KR19950035781A KR970024146A KR 970024146 A KR970024146 A KR 970024146A KR 1019950035781 A KR1019950035781 A KR 1019950035781A KR 19950035781 A KR19950035781 A KR 19950035781A KR 970024146 A KR970024146 A KR 970024146A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
charge storage
storage electrode
capacitor
photoresist pattern
oxide film
Prior art date
Application number
KR1019950035781A
Other languages
English (en)
Inventor
정상철
양중섭
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950035781A priority Critical patent/KR970024146A/ko
Publication of KR970024146A publication Critical patent/KR970024146A/ko

Links

Landscapes

  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자의 제조 방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
캐패시터 면적 감소에도 한계가 있을 뿐만 아니라 캐패시터 면적 감소와 더불어 제품 품질 및 특성과 집적화에 중요한 변수가 되는 충분한 캐패시터의 용량 확보가 어렵다는 문제점이 발생하였음.
3. 발명의 해결방법의 요지
제1전하저장 전극용 폴리실리콘, 산화막을 차례로 형성한후 캐패시터가 형성될 부분에 콘택홀을 형성하고, 상기 콘택홀에 인접하는 산화막의 일부를 잔류하도록 상기 산화막을 식각하고, 전체구조 상부에 제2전하저장 전극용 폴리실리콘을 증착한 후 전하저장 전극을 정의하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성하여 상기 포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 이용하여 상기 제1 및 제2 전하저장 전극용 폴리실리콘을 습식 식각함으로써 캐패시터 전하저장 전극의 표면적을 증대시키고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 제조, 특히 캐패시터 전하저장 전극 형성에 이용됨

Description

캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명의 캐패시터 전하저장 전극 형성 방법에 따른 제조 공정도.

Claims (1)

  1. 캐패시터 전하저장 전극 형성 방법에 있어서, 전체구조 상부에 층간 절연막, 제1전하저장 전극용 폴리실리콘, 산화막을 차례로 형성하고, 소정의 사진 식각 공정을 수행하여 캐패시터가 형성될 부분에 콘택 홀을 형성하고, 상기 콘택 홀에 인접하는 상기 산화막의 일부가 가려지고 나머지 부분은 오픈되도록 하는 제1포토레지스트 패턴을 형성한 후 상기 제1포토레지스트 패턴을 식각 베리어로 이용하여 상기 산화막을 식각하는 단계와, 상기 제1포토레지스트 패턴을 제거한후 전체 구조 상부에 제2전하저장 전극용 폴리실리콘을 증착하고, 캐패시터 전하저장 전극을 정의하기 위한 제2포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 제2포토래지스트 패턴을 식각 베리어로 이용하여 상기 제1 및 제2 전하저장 전극용 폴리실리콘층을 차례로 습식 식각하는 단계와, 상기 제2포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함해서 이루어진 캐패시터 전하저장 전극 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950035781A 1995-10-17 1995-10-17 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법 KR970024146A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950035781A KR970024146A (ko) 1995-10-17 1995-10-17 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950035781A KR970024146A (ko) 1995-10-17 1995-10-17 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970024146A true KR970024146A (ko) 1997-05-30

Family

ID=66583194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950035781A KR970024146A (ko) 1995-10-17 1995-10-17 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970024146A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930015010A (ko) 반도체 기억장치의 전하저장전극 제조방법
JPH07153850A (ja) 半導体素子のスタックキャパシタ形成方法
KR970024146A (ko) 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법
KR0151257B1 (ko) 반도체 메모리장치 제조방법
KR950004524A (ko) 캐패시터의 전하저장전극 형성방법
KR950026042A (ko) 적층 캐패시터 제조방법
KR970024145A (ko) 캐패시터 제조방법
KR970054026A (ko) 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법
KR970024212A (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법
KR960015939A (ko) 반도체소자의 캐패시터 제조방법
KR950034630A (ko) 반도체소자의 저장전극 형성방법
KR970053887A (ko) 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법
KR970003963A (ko) 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법
KR970003965A (ko) 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법
KR970024179A (ko) 캐패시터의 전하저장 전극 형성 방법
KR970024318A (ko) 캐패시터의 전하저장 전극 및 그 형성 방법
KR970053888A (ko) 캐패시터의 전하 저장 전극 형성 방법
KR970052485A (ko) 커패시터의 스토리지 전극 제조 방법
KR930018731A (ko) 반도체메모리장치 및 그 제조방법
KR970030807A (ko) 반도체 메모리장치의 커패시터 제조방법
KR970023709A (ko) 반도체 장치의 캐패시터 제조방법
KR970023729A (ko) 캐패시터의 전하저장 전극 및 그 형성 방법
KR19980054507A (ko) 반도체 장치의 캐패시터 형성방법
KR960012499A (ko) 캐패시터의 전하저장전극 제조방법
KR970003967A (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination