KR960012499A - 캐패시터의 전하저장전극 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 캐패시터의 전하저장전극 제조방법에 관한 것으로, 불순물이 도핑된 실리콘을 전하저장전극 마스크 및 식각공정으로 전하저장전극 패턴을 형성한 후 산화막을 형성하고, 산화막상에 고립(Island)형태의 폴리실리콘 그레인(Grain)을 성장시켜 이를 식각 장벽층으로 한 식각공정으로 패턴화된 전하저장전극에 다수의 미세 홀을 형성하므로써, 제한된 면적하에서 유효면적을 증대시켜 캐패시터의 정전용량을 극대화할 수 있는 캐패시터의 전하저장전극 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 1F도는 본 발명에 의한 캐패시터의 전하저장전극 제조단계를 도시한 소자의 단면도.
Claims (1)
- 유효면적을 극대화하기 위한 캐패시터와 전하저장전극 제조방법에 있어서, 도프트 실리콘을 사용하여 전하저장전극 패턴을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 도프트 실리콘 표면에 산화막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 산화막상에 고립형태의 언도프트 폴리실리콘 그레인을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 언도프트 폴리실리콘 그레인을 식각장벽층으로 한 산화물 및 폴리 식각공정으로 도프트 실리콘에 다수의 미세홀을 형성한 후 남아있는 산화막을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캐패시터의 전하저장전극 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940021994A KR960012499A (ko) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | 캐패시터의 전하저장전극 제조방법 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019940021994A KR960012499A (ko) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | 캐패시터의 전하저장전극 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR960012499A true KR960012499A (ko) | 1996-04-20 |
Family
ID=66686519
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019940021994A KR960012499A (ko) | 1994-09-01 | 1994-09-01 | 캐패시터의 전하저장전극 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR960012499A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100764373B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2007-10-08 | 삼성전기주식회사 | Rf 저잡음 agc 기능을 갖는 tv 수신기 |
-
1994
- 1994-09-01 KR KR1019940021994A patent/KR960012499A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100764373B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2007-10-08 | 삼성전기주식회사 | Rf 저잡음 agc 기능을 갖는 tv 수신기 |
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