KR960012499A - 캐패시터의 전하저장전극 제조방법 - Google Patents

캐패시터의 전하저장전극 제조방법 Download PDF

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KR960012499A
KR960012499A KR1019940021994A KR19940021994A KR960012499A KR 960012499 A KR960012499 A KR 960012499A KR 1019940021994 A KR1019940021994 A KR 1019940021994A KR 19940021994 A KR19940021994 A KR 19940021994A KR 960012499 A KR960012499 A KR 960012499A
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KR
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charge storage
storage electrode
capacitor
manufacturing
oxide film
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KR1019940021994A
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최근민
송태식
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 캐패시터의 전하저장전극 제조방법에 관한 것으로, 불순물이 도핑된 실리콘을 전하저장전극 마스크 및 식각공정으로 전하저장전극 패턴을 형성한 후 산화막을 형성하고, 산화막상에 고립(Island)형태의 폴리실리콘 그레인(Grain)을 성장시켜 이를 식각 장벽층으로 한 식각공정으로 패턴화된 전하저장전극에 다수의 미세 홀을 형성하므로써, 제한된 면적하에서 유효면적을 증대시켜 캐패시터의 정전용량을 극대화할 수 있는 캐패시터의 전하저장전극 제조방법에 관한 것이다.

Description

캐패시터의 전하저장전극 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 1F도는 본 발명에 의한 캐패시터의 전하저장전극 제조단계를 도시한 소자의 단면도.

Claims (1)

  1. 유효면적을 극대화하기 위한 캐패시터와 전하저장전극 제조방법에 있어서, 도프트 실리콘을 사용하여 전하저장전극 패턴을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 도프트 실리콘 표면에 산화막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 산화막상에 고립형태의 언도프트 폴리실리콘 그레인을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 언도프트 폴리실리콘 그레인을 식각장벽층으로 한 산화물 및 폴리 식각공정으로 도프트 실리콘에 다수의 미세홀을 형성한 후 남아있는 산화막을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 캐패시터의 전하저장전극 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940021994A 1994-09-01 1994-09-01 캐패시터의 전하저장전극 제조방법 KR960012499A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100764373B1 (ko) * 2006-04-28 2007-10-08 삼성전기주식회사 Rf 저잡음 agc 기능을 갖는 tv 수신기

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