KR970004022A - Rom을 이용하는 소자의 캐패시터 제조 방법 - Google Patents
Rom을 이용하는 소자의 캐패시터 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고집적 반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
ROM 셀을 형성하는 제조 과정을 이용하여 캐패시터를 제조하는데 있어서, 종래에는 절연막으로 산화막을 사용하고 전극 단자로 반도체 기판과 폴리실리콘을 이용하기 때문에 캐패시터의 크기에 비해 용량이 작아 고집화하기 힘들다는 문제점이 있었다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
절연막으로 산화막-질화막-산화막 구조의 ONO막을 이용하고 전극 단자로 2개의 폴리실리콘층을 사용하므로써, 작은 크기에 비해 용량이 크고 제조 공정도 산화막을 형성하는 한 단계를 줄일 수 있는 캐패시터를제조하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
ROM을 이용하는 소자의 캐패시터 제조에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2B도는 본 발명의 캐패시터 제조 방법에 따른 공정도.
Claims (1)
- ROM 셀을 제조하는 공정을 이용하여 동시에 캐패시터를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 기판 상의 셀역과 주변회로 영역에 산화막을 형성한 후, 제1폴리실리콘을 증착하고 도핑을 실시하는 단계와, 제1게이트전극 및 캐패시터 제1전극 형성을 위한 제1포토레지스트 패턴을 상기 셀 영역과 주변회로 영역에 각각 형성하고, 상기 제1포토레지스트 패턴을 식각 배리어로 이용하여 상기 제1폴리실리콘과 상기 산화막을 식각하는 단계와, 잔류 포토레지스트를 제거하고 산화막-질화막-산화막 구조의 절연막과 제2폴리실리콘을 차례로 증착하고 도핑을 실시하는 단계와, 제2게이트 전극 및 캐패시터 제2전극 형성을 위한 제2포토레지스트 패턴을 상기 셀 영역과 주변회로 영역에 각각 형성하는 단계 및, 상기 제2포토레지스트 패턴을 식각 배리어로 이용하여 상기 제2폴리실리콘과 산화막-질화막-산화막 구조의 절연막을 식각한 후, 잔류 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함해서 이루어진 캐패시터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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1995
- 1995-06-01 KR KR1019950014697A patent/KR970004022A/ko not_active Application Discontinuation
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