KR940010333A - 반도체 메모리장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 셀커패시턴스를 증가시킬 수 있는 반도체 메모리장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 소오스영역상의 반도체기판에 형성된 기둥전극과 상기 기둥전극의 상부의 주위를 에워싸는 원통형의 전극으로 형성된 실린더 스트리지노드가 하부에 형성되어 있고, 상부에는 상기 기둥전극과 연결된 스택스토리지노드가 형성되어 있는 모양으로 이루어진 실린더-스택병합형 스토리지전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치 및 그 제조방법을 제공한다.
따라서. 종래의 커패시터에 비해 셀커패시턴스를 증가시킬 수 있으며, 기존 래티클(Reticle)의 변경없이 복잡한 공정을 거치지 않고도 제조할 수 있는 이점이 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 내지 제12도는 본 발명에 의한 반도체 메모리장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들.
Claims (7)
- 소오스영역 상의 반도체기판에 형성된 기둥전극과 상기 기둥전극의 상부의 주위를 에워싸는 원통형의 전극으로 형성된 실린더 스토리지노드가 하부에 형성되어 있고, 상부에는 상기 기둥전극과 연결된 스택 스토리지노드가 형성되어 있는 모양으로 이루어진 실린더-스택 병합형 스토리지전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
- 반도체기판 위에 제1절연층을 형성하는 공정, 상기 제1절연층을 이방성식각함으로써 소오스영역과 스토리지전극을 연결시키기 위한 제1콘택홀을 형성하는 공정, 결과물 전면에 도전물질 및 절연물질을 차례로 도포한후 상기 절연물질 및 도전물질을 차례로 이방성식각함으로써 셀 단위로 한정된 제1도전층 및 제2절연층을 형성하는 공정, 결과물 전면에 도전물질을 도포할 수 이방성식각함으로써 상기 제1도전층의 가장자리에 측벽모양의 제2도전층을 형성하는 공정, 결과물 전면에 절연물질을 도포한 후 평탄화시켜 제3절연층을 형성하는 공정, 상기 제3절연층에 이방성식각하여 제2콘택홀을 형성하는 공정 및 결과물 전면에 도전물질을 도포한 후 패터닝하여 제3도전층을 형성함으로써 상기 제1도전층, 제2도전층 및 제3도전층으로 이루어진 스토리지노드를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제1도전층, 제2도전층 및 제3도전층은 평탄한 물질층상에서 형성되는 것을 특징으로하는 반도체 메모리장치의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제1도전층, 제2도천층 및 제3도전층은 불순물이 도우프된 다결정실리콘을 도포하거나, 다결성실리콘을 도포한 후 불순물 이온을 주입하여 도우핑하거나 또는 비정질실리콘을 도포한 후 불순물 이온을 도우핑함으로써 형성되는 것은 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제2절연층 및 제3절연층은 BPSG. CVD산화막 또는 고온산화막(HTO)중 어느 한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 제조방법.
- 제5항에 있어서, 상기 제2절연층 및 제3절연층은 1,000Å-10,000Å정도의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제1콘택홀 및 제2콘택홀은 동일한 마스크패턴에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|---|
| KR100340854B1 (ko) * | 1995-06-30 | 2002-10-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의캐패시터형성을위한콘택홀형성방법 |
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- 1992-10-21 KR KR1019920019306A patent/KR100278643B1/ko not_active IP Right Cessation
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Also Published As
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