KR970054088A - 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 전하저장전극 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970054088A
KR970054088A KR1019950062135A KR19950062135A KR970054088A KR 970054088 A KR970054088 A KR 970054088A KR 1019950062135 A KR1019950062135 A KR 1019950062135A KR 19950062135 A KR19950062135 A KR 19950062135A KR 970054088 A KR970054088 A KR 970054088A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
insulating film
polysilicon
charge storage
storage electrode
Prior art date
Application number
KR1019950062135A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100223743B1 (ko
Inventor
정명준
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950062135A priority Critical patent/KR100223743B1/ko
Publication of KR970054088A publication Critical patent/KR970054088A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100223743B1 publication Critical patent/KR100223743B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40Capacitors
    • H01L28/60Electrodes
    • H01L28/82Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
    • H01L28/90Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions
    • H01L28/92Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions made by patterning layers, e.g. by etching conductive layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법에 관한 것으로, 스페이서 패턴이 될 다결정실리콘의 두께를 조절하여 원통간의 거리보다 원통내의 거리가 좁은 원통형의 스페이서 패턴을 형성하고, 이 스페이서 패턴을 식각장벽막으로 하여 다결정실리콘막과 산화막의 식각선택비와 다결정실리콘막과 스페이서 패턴의 높이 차이로 스페이서 패턴의 내부와 외부를 식각하여 다결정실리콘막과 산화막으로 이루어진 원통을 형성한 다음, 전하저장전극으로 사용되기 위하여 증착되는 다결정실리콘을 원통형전하저장전극 보다 주심의 옆면적만큼 더 넓은 전하저장전극을 확보할 수 있는 반도체 소자의 전하저장전극을 제조할 수 있어 반도체 소자의 고집적화를 가능하게 한다.

Description

반도체 소자의 전하저장전극 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제6b도는 본 발명의 일실시예에 따른 전하저장전극 제조 공정 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법에 있어서, 반도체 기판 상에 트랜지스터를 형성하고 전체구조 상부를 제1절연막으로 평탄화한 후 상기 트랜지스터의 동작영역과 접속되는 제1다결정실리콘막을 상기 제1절연막 상에 형성하는 단계; 상기 제1다결정실리콘막 상에 제2절연막, 제2다결정실리콘막 및 제3절연막을 차례로 형성하는 단계; 상기 제3절연막 및 제2다결정실리콘막을 소정의 크기로 패턴하여 제2절연막이 노출 되도록하는 단계; 상기 제3절연막 및 다결정실리콘막의 측벽에 전도막 스페이서를 형성하는 단계; 제1다결정실리콘막이 노출되도록 상기 전도막 스페이서에 의해 노출되어 있는 상기 제3절연막 및 제2절연막을 식각하는 단계; 상기 제3절연막 및 제2절연막의 식각으로 노출된 제1다결정실리콘막의 일부와 다결정실리콘막을 제2절연막 및 제1절연막이 노출될 때까지 제거하는 단계; 상기 전도막 스페이서를 식각장벽으로 노출된 제2절연막과 제1다결정실리콘막을 순차적으로 식각하는 단계; 전체구조 상부에 제4다결정실리콘막을 도포하여 전면식각하는 단계; 및 상기 전면식각으로 노출된 제2절연막을 제어하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 4 전도막은 다결정실리콘막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 절연막은 산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950062135A 1995-12-28 1995-12-28 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법 KR100223743B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950062135A KR100223743B1 (ko) 1995-12-28 1995-12-28 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950062135A KR100223743B1 (ko) 1995-12-28 1995-12-28 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970054088A true KR970054088A (ko) 1997-07-31
KR100223743B1 KR100223743B1 (ko) 1999-10-15

Family

ID=19446126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950062135A KR100223743B1 (ko) 1995-12-28 1995-12-28 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100223743B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR100223743B1 (ko) 1999-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970054088A (ko) 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법
KR960003772B1 (ko) 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR100244411B1 (ko) 반도체장치 제조방법
KR100357174B1 (ko) 반도체소자의 캐패시터 제조방법
KR980012486A (ko) 반도체 소자의 커패시터 제조 방법
KR940010333A (ko) 반도체 메모리장치 및 그 제조방법
KR950015583A (ko) 실린더 구조의 저장전극 형성방법
KR960001338B1 (ko) 반도체 소자의 전하저장전극 제조 방법
KR100226217B1 (ko) 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법
KR950025993A (ko) 반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법
KR970054158A (ko) 반도체 소자의 캐패시터 형성방법
KR19990003042A (ko) 반도체 소자의 캐패시터 형성방법
KR970012990A (ko) 자기 정렬을 이용한 커패시터 제조방법
KR950034630A (ko) 반도체소자의 저장전극 형성방법
KR970030485A (ko) 반도체 장치의 커패시터 제조방법
KR970053818A (ko) 실린더 및 핀형 구조가 조합된 전하저장전극 형성방법
KR950010070A (ko) 반도체 기억장치 및 그 제조방법
KR950024351A (ko) Eprom반도체 장치 및 이의 형성방법
KR950010076A (ko) 반도체소자의 디램셀 제조방법
KR930001430A (ko) 반도체 메모리장치의 커패시터구조 및 그 제조방법
KR930018731A (ko) 반도체메모리장치 및 그 제조방법
KR970024321A (ko) 반도체장치의 캐패시터 제조방법(Method of fabricating a capacitor of a semiconductor device)
KR950021548A (ko) 반도체 메모리장치의 커패시터 및 이의 제조방법
KR930018732A (ko) 반도체 메모리장치의 제조방법
KR970018247A (ko) 반도체 메모리 셀 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080619

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee